《电子电路基础》教材解答new

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1、各章内容要点及学时分配第一章半导体器件概述6学时1．熟悉二极管、三极管、场效应管的伏安特性、开关特性。2．熟悉二极管、三极管、场效应管及理想运放的主要参数，包括静态参数、动态参数和极限参数。3．掌握三极管、场效应管的微变等效电路模型及理想运放的电路模型。第二章基本运算电路7学时1．掌握TTL与非门电路原理、分析其电压传输特性和主要参数，熟悉其它形式的TTL与非门电路。2．掌握CMOS门电路的电压传输特性、特点及参数，熟悉CMOS传输门。3．掌握理想运放组成的基本线性运算电路，包括比例、求和、微分、积

2、分、对数运算等。第三章基本放大电路8学时1．掌握三极管、场效应管的基本偏置方法，包括分压式偏置、电流源偏置，了解其它偏置方式。2．掌握共基、共射、共集、共源、共漏五种基本组态放大电路的静态及动态分析计算方法。3．掌握基本放大电路的高频特性分析方法，了解低频特性及其分析方法。第四章组合放大电路8学时1．掌握由五种基本组态组合而成的放大电路的静态及动态分析、计算方法。2．掌握差动放大电路分析、计算方法及其传输特性。3．熟悉通用集成运放的电路原理。4．熟悉运放的主要参数及误差分析模型。第五章反馈电路及其稳

3、定性分析8学时1．熟悉负反馈的基本概念及对放大电路性能的影响。2．掌握四种类型负反馈电路的判断及估算。3．掌握负反馈电路稳定性判据及滞后补偿、超前滞后补偿方法。4．了解针对特殊情况的补偿方法。第六章波形产生与整形电路9学时1．熟悉正弦振荡的平衡条件、起振条件及判断方法。2．掌握RC文氏电桥振荡器、三点式振荡器、变压器反馈式LC振荡器的原理及分析估算方法，熟悉石英晶体振荡器的原理。3．熟悉集成电压比较器、集成定时器的电路原理及功能。4．掌握由集成比较器、集成定时器构成的波形产生及整形电路，并掌握电路的

4、分析计算方法。第七章信号处理电路8学时1．掌握低通二阶有源滤波的电路实现方法及分析计算方法，熟悉二阶高通、带通、带阻滤波器的电路实现及计算方法。2．了解高阶滤波器的工程设计方法。3．掌握对数运算模拟乘法器的电路原理及分析方法，熟悉变跨导集成模拟乘法器的电路原理及应用。4．熟悉锁相环电路的原理及集成锁相环的应用。第1页共37页第八章功率电路10学时1．熟悉乙类功放电路的分析计算方法。2．熟悉集成功放电路的原理及应用（OTL，OCL电路）。3．掌握串联型稳压电路的分析计算方法，熟悉三端集成稳压器的电路原

5、理及应用。4．掌握开关稳压电路的原理，熟悉无工频变压器开关稳压电路的组成原理及分析计算方法。第一章例题分析题1.1电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。设二极管是理想的。解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V。锗管的导通压降为0.2～0.3V。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路

6、法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P端）与阴极（N端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N端）连在一起的电路，只有阳极（P端）电位最

7、高的处于导通状态；对于阳极（P端）连在一起的二极管，只有阴极（N端）电位最低的可能导通。U图（a）中，当假设二极管的VD开路时，其阳极（P端）电位P为-6V，阴极（N端）U电位N为-12V。VD处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当U6V于短路。所以AO；图（b）中，断开VD时，阳极电位UP15V，阴极的电位UN12V，UU∵PN∴VD处于反偏而截止U12V∴AO；图（c），断开VD1,VD2时第2页共37页∵UP10VUN112VUP1UN1UP2

8、15VUN212VUP2UN2∴VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止U0VAO；或，∵VD1，VD2的阴极连在一起U0V∴阳极电位高的VD1就先导通，则A点的电位AO，U15VUU而P2N2A∴VD2处于反偏而截止图（d），断开VD1、VD2，∵UP112VUN10VUP1UN1UP212VUN26VUP2UN2；∴VD1、VD2均处于反偏而截止。题1.4电路如题图1.4所示，稳压管ＤＺ的稳定电压ＵＺ=8V，限流电阻Ｒ=3k