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1、第一章半导体基础知识自测题一、⑴V(2)X(3)7(4)X(5)7(6)X二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、l/Oi^l.3V"O2=01.3V"O432V(7O5^2.3VV^~2四、^oi=6V(7o2=5V五、根据Pcm=200mW可得:C/ce=40V时/c=5mA,(7ce=30V时6.67mA,(7ce=20V时/c=10mA,f/CE=10V时/c=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。六、1、=Vbb-(7be=26mRbIc=J3IB=2.6mA"CE=Vcc-/c/?c=2V"0="ce=2Vo2、临界饱和时f/cES=t^BE=
2、0.7V,所以Ic=Vcc—UcES=2.86mARc,b=言=28.fyA/?b=Vbb-^-45.4kQ’B七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阯区。和幼t习题1.1(1)AC(2)A(3)C(4)A1.2不能。因为二极管的正向电流与苒端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。13叫和w0的波形如图所示。1.4Wi和%的波形如阁所示。1.4«。的波形如图所示。:_TLTLT,OXWI2/V春3—_n_r«o/v3-t2JUo
3、"r-11.5ID=(V-[/D)//?=2.6mA,厂D々(/T//D=10Q,/c^LymslmA。1.6(1)两只稳压
4、管串联吋可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.7/ZM=PZM/t/z=25mA,/?=(/z//dz=0.24〜1.2kQ。1.8(1)当M=10V时,若U0=Ua=(N,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故t/o=Rl.Ux-3.33V当M=15V时,由于上述同样的原因,[/0=5V。当G=35V时,VflhH(2)/q=(JJj—(JIR—29niA>/zi=25i'nA,稳压管将因功耗过大而损坏。Z1.9(1)S闭合。⑵/?min=(V-"D)//Dinax=233a/?
5、眶=(V-t/D)//Dmin=700Qo1.121.131.14I.OInA5nA’BQKb一—^=6Q1A,/Cq=p/Bq=3mA,u0=Vcc—’Cq/?c=9V1.11波形如阁所示wI/V,630Jwol/v3AA10W02/VIzL60°C时/CBO々32uA。选用P=100、7cbo=10uA的管子,其温度稳定性好⑻(b)1.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表管号T,t2t3t4丁5丁6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16当VBB=0时,T截止,w0=12V。当Vi3B=l
6、V时,T处于放大状态。因为当VBB=3V时,T处于饱和状态。因为BQVbB-「beq=16QiA,/Cq=/?/Bq=8mA,uo=Vcc-ICqRc<(7be1.17収t/cES=t^BE»若啻子饱和,则,VCC_"BE=Vcc_(7be,k=p所以夕>i=i00管子饱和RbRcRc1.18当《丨=0时,晶体管截止,稳压管击穿,《o=—"z=-5V。48QiA当叫=—5V时,晶体管饱和,wo=0.1V。因为U一"BE
7、’c
8、=^
9、^b
10、—24mA"EC=-
11、’c
12、〜<Vcc1.19(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T会损坏。(e)可能1.20根据方程UGS(th)逐点求
13、山确定的%s下的zD,可近似画出转移特性和输岀特性。在输山特性中,将各条曲线上^GD=^GS<off>的点连接起来,便为予夹断线。1.21尔fTi1.22过wDS为某一确定值(如15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的/D值;建立zD=f(Was)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。1.23Wl=4V吋T夹断,Wl=8V吋T工作在恒流区,咐=12V时T工作在可变电阻区。1.24(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能2章第二章基本放大电路自测题一、(1)X(2)7(3)X(4)X(5)V(6)X(7)X二、(a〉不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能(c)不
14、能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。(2)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(3)不能。因为输入信号被(?2短路。(4)不能。因为输出信号被短路,恒为零。(5)可能。(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。(i)不能。因为T截止。二、(1)(Ycc-t/BEQ)//BQ565;(Vcc-(7CEq)/A/Bq3(2)-UjU:-120;〜0.3尺c+尺L四、(1)A(2)C(3)B(4)B五、⑴C,DE(2)B(3)ACD(4)A