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时间:2017-12-08
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1、第一章思考题与习题解答1-1名词解释半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N型半导体、P型半导体、PN结。解半导体——导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。例如硅(Si)和锗(Ge),这两种半导体材料经常用来做晶体管。载流子——运载电流的粒子。在导体中的载流子就是自由电子;半导体中的载流子有两种,就是自由电子与空穴,它们都能参加导电。空穴——硅和锗均为共价键结构,属于四价元素。最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键,每一个共价键上均有两个价电子运动。当环境温度升高(加热或光照)时,价电子获得能量摆脱原子
2、核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子,在原来的位置上就出现一个空位,称为空穴。空穴带正电,具有吸引相邻电子的能力,参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。自由电子——位于自由空间,带负电,参加导电时,在自由空间作自由飞翔式的运动,这种载流子称为自由电子。本征半导体——不掺任何杂质的半导体,也就是指纯净的半导体,称为本征半导体。杂质半导体——掺入杂质的半导体称为杂质半导体。N型半导体——在本征硅(或锗)中掺入微量五价元素(如磷P),就形成含有大量电子的N型杂质半导体,又称电子型杂质半导体,简称N型半导体。P型半导体——在本征硅
3、(或锗)中掺入微量的三价元素(如硼B),就形成含大量空穴的P型杂质半导体,又称空穴型杂质半导体,简称P型半导体。PN结——将一块P型半导体与一块N型半导体放在一起,通过一定的工艺将它们有机地结合起来,在其交界面上形成一个结,称为PN结。1-3选择填空(只填a、b„以下类同)(1)在PN结不加外部电压时,扩散电流漂移电流。(a.大于,b.小于,c.等于)(2)当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流。(a1.大于,b1.小于,c1.等于)此时耗尽层。(a2.变宽,b2.变窄,c2.不变)(3)当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。(a
4、1.大于,b1.小于,c1.等于)此时耗尽层。(a2.变宽,b2.变窄,c2.不变)解(1)c。(2)a1,b2。(3)b1,a2。1-4选择填空(1)二极管电压从0.65V增大10%,流过的电流增大。(a.10%,b.大于10%,c.小于10%)(2)稳压管(a1.是二极管,b1.不是二极管,c1.是特殊的二极管),它工作在状态。(a2.正向导通,b2.反向截止,c2.反向击穿)(3)NPN型和PNP型晶体管的区别是。(a.由两种不同材料的硅和锗制成,b.掺入的杂质元素不同,c.P区和N区的位置不同)(4)场效应管是通过改变(a1.栅
5、极电流,b1.栅源电压,c1.漏源电压)来改变漏极电流的,因此是一个(a2.电流,b2.电压)控制的(a3.电流源,b3.电压源)。(5)晶体管电流由(a1.多子,b1.少子,c1.两种载流子)组成,而场效应管的电流由(a2.多子,b2.少子,c2.两种载流子)组成。因此,晶体管电流受温度的影响比场效应管(a3.大,b3.小,c3.差不多)。(6)晶体管工作在放大区时,b-e极间为,b-c极间为;工作在饱和区时,b-e极间为,b-c极间为。(a.正向偏置,b.反向偏置,c.零偏置)解(1)b。(2)c1,c2。(3)c。(4)b1,b2
6、,a3。(5)c1,a2,a3。(6)a,b;a,a与c。1-5回答下列问题(1)为什么说在使用二极管时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压?(2)如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极?(提示:万用表的黑笔接表内直流电源的正极端,而红笔接负极端)(3)比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中,为什么硅二极管应用得较普遍?解(1)如果二极管的正向电流超过最大整流电流就会进入过流区,容易烧管;如果超过最高反向工作电压容易造成管子反向击穿。(2)根据二极管的正向电阻小,反向电阻大的性质。先假设二极管的阴、阳两个端,
7、测量其电阻,将黑笔接假设的阳极,红笔接假设的阴极,记录其阻值;再将黑、红笔交换位置,再测电阻,比较两次测得的阻值大小,若前者小于后者,说明假设的阴、阳两极是对的,否则相反。(3)死区电压:硅管的大于锗管的;反向电流:硅管的小于锗管的;最高反向工作电压:硅管的高于锗管的;工作频率:锗管的高于硅管的。因为硅管的穿透电流ICEO比锗管的小得多,表现温度稳定性好,所以硅二极管应用得较普遍。1-6回答问题(1)有两个三极管,A管的=200,I=200μA,B管的=50,I=10μA。其他参数大致相同。相比之下CEOCEO管的性能较好。(2)若
8、把一个三极管的集电极电源反接,使集电结也处于正向偏置,则I将更大,对放大作用是否更有利?C(3)一个三极管的I=10μA时,I=1mA,我们能否从这两个数据来决定它的交流电流放大系数?什么时候可以?BC什么
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