X011b_习题课解答_清华大学_电子电路与系统基础

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1、电子电路与系统基础习题课第十一讲1、期中考题讲解2、第九周作业讲解李国林清华大学电子工程系习题课第十一讲大纲•期中考试情况•期中考题讲解•第九周作业讲解李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季2期中考试分数情况•大班参加考试226人，全年级281人•平均分75.8分•>=90分3613%•>=80分8430%43%•>=70分7426%•>=60分5520%46%•<60分3211%11%李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季3作业1：NMOS晶体管•（1）某NMOSFET

2、的过驱动电压为0.5V，其饱和电压为多少？•（2）该晶体管的=2mA/V2，厄利电压为nV=50V，则在V=1V时，漏极电流为多少？EDS•（3）其等效电路模型中的源电流为多少？源内阻为多少？iDiDvDS=vDSsat=vGS-VTHD欧姆导通区iGvGS>VTH恒流导通区GMMvDSvGD>VTHvGS>VTHvGSvGD

3、体管的=2mA/V2，厄利电压为V=50V，则在V=1V时，漏极电流nEDS为多少？•（3）其等效电路模型中的源电流为多少？源内阻为多少？VVV0.5VodGSTH过驱动电压：只有过驱动，V=V+V，才能有静电荷积累形成的沟道GSTHod从VGS这个角度看VDS,satVGSVTH0.5V饱和电压：只要VDS>VDS,sat，沟道则夹断，电流呈现饱和特性从VDS这个角度看V1VV0.5V晶体管位于有源区DSDS,sat2VDS21IVV120.510

4、.51.020.51mADnGSTHVE502VDSVDSVDSVDSIVV1I1IIDnGSTHVD0VD0VID0rEEED0dsID22IVV20.50.5mAD0nGSTHiGV50VrE100kVDS>VDS,satdsID00.5mAVGS>VTHID0rds李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季5SvSGG作业2：PMOS晶体管MvSDiGDiD•画表格，一侧NMOS，一侧PMOS

5、•（1）画出NMOS、PMOS晶体管电路符号，二端口网络定义（端口电压、端口电流）•（2）写出NMOS、PMOS晶体管的元件约束方程•（3）画出伏安特性曲线示意图•（4）对于图示的PMOS连接，给出二端口网络的元件约束方程，画出输出端口（有源负载）伏安特性曲线示意图有源负载：可向SVDDiDiG外提供能量，具MG有非线性内阻的MvDvG电压源，vG固定则VDD可作为NMOS的负D载，v变化则可实G现PMOS反相功能李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季6NMOS和PMOS电路符号二端口网络

6、定义元件约束条件NMOSiDD0vVGSTH,nGiG2MvDSiD2nvGSVTH,nvDS0.5vDSvGSVTH,n,vGDVTH,n2vGSvV1vvV,vVnGSTH,nnDSGSTH,nGDTH,nSPMOSSvSG0vSGVTH,p2GMi2vVv0.5vvV,vVvSDDpSGTH,pSDSDSGTH,pDGTH,piGvV21vvV,vVpSGTH,ppSDSGTH,pDGTH,pDiD

7、iDiDvDS=vDSsat=vGS-VTHvSD=vSDsat=vSG-VTH欧姆导通区欧姆导通区vGS>VTH恒流导通区vSG>VTH恒流导通区vGD>VTHvGS>VTHvDG>VTHvSG>VTHvGSvSGvGD

8、-VSDsat=VG+VTHyIDSVDDIIDG反0VM1VG褶MVDVGc有源VGVG02VVDD3V运DVDOVDDx算IfVV,VVfVc,VxyDDDGDDDDDDD平移、反褶李国林电子电路与系统基础清华大学电子工程系2013年春季8yIDVSD=VSDsat=VSG-VTHS5VVSG晶体管是非线性电阻4VGc关联参考方向下，DS端口伏安MVSDVSG3VVSG0IG特性全部位于