《rena技术员培训》PPT课件

《《rena技术员培训》PPT课件》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、清洗设备培训目录第一部分：RENA清洗机设备概况第二部分：单晶清洗机设备概况第三部分：RENA管路图第四部分：RENA电路图第五部分：RENA机械原理第六部分：西门子PLC第一部分RENA清洗机设备概况1.1RENA清洗机的组件•1InTex./InTex1台•2intermediatetransports(inputstation/outputstation)./进料台、出料台各1个•1chiller./冷却器1个•1electricalcabinet./电器柜1个•1InOxSide./InOxSide1台•2int

2、ermediatetransports(inputstation/outputstation)./进料台、出料台各1个•1chiller./冷却器1个•1electricalcabinet./电器柜1个1.1.1RENA整机6注：公司一般会根据需要在RENA前后加装上料台、下料台用来代替人工手工放片。在下料台也会安装吸片装置，用以挑出损坏，破碎的片子。1.1.1RENA整机1.1.2冷却器1.1.3电控柜外部1.1.4电控柜内部1.1.5化学品输送及排风管道1.1.6气、水输送管道CDADIwaterCoolingwat

3、erCitywaterCDACoolingwater1.1.7热风系统InTex目的：a）去除硅片表面的污染物；b）络合硅片表面沾污的金属离子；c）在硅片表面腐蚀出绒面。InOxSide目的：a）去除硅片表面的磷硅玻璃；b）去掉硅片背面及周边p-n结。1.2RENA清洗工艺原理1.2.1清洗目的1.2.2工作流程制绒槽上料台下料台干燥漂洗3#酸洗漂洗2#碱洗吹干漂洗1#InOxSide刻蚀槽上料台下料台干燥漂洗3#酸洗漂洗2#漂洗1#碱洗Intex1.2.3RENA一次清洗工艺RENA刻蚀原理方程：3SI+4HNO3+1

4、8HF——3H2[SIF6]+4NO2+8H2OSIO2+HF——H2[SIF6]+H2O氟硅酸RENA制绒（HF、HNO3）原理方程：Si+2HNO3+6HF=H2[SiF6]+2HNO2+2H2O3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO+8H2O3Si+2HNO3+18HF=3H2[SiF6]+2NO+4H2O+3H25Si+6HNO3+30HF=5H2[SiF6]+2NO2+4NO+10H2O+3H2内部和表面绒面16RENA运行时的内部状况图多晶硅片经过制绒后的绒面形貌注：需要指明的是RENA清洗

5、制绒过程中片子是全部淹没在溶液内的。而在RENA刻蚀过程中片子是漂浮在溶液上的。制备绒面的目的及机理17减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。解释机理：当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。绒面减少反射的机理碱洗（KOH）的目的及机理18多孔硅的反射率是很低的，但如果不去除，对后道的扩散和丝网印刷不利，电池效率受严重影响。碱洗槽：KOH溶液，主要去除制绒后形成的多孔硅反应如下：多孔硅Si+2KOH+H2OK2SiO3+2H2酸洗

6、(HF、HCL)的目的及机理19酸洗槽：HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层，反应如下：SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2OHCl去除硅表面金属杂质，盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。1.2.4RENA二次清洗工艺刻蚀槽(HF、HNO3、H2SO4)刻蚀目的：1.去除硅片周边及背面P-N结，减少漏电流。2.去除在扩形成的磷硅玻璃，较少光的反射，降低接触电阻。扩散中磷硅玻璃的形成：4POCl3+3O2=2P2O5+

7、6Cl2在较高的温度的时候，P2O5作为磷源与Si发生了如下反应：2P2O5+5Si=5SiO2+4P所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2。刻蚀(HF、HNO3、H2SO4)的目的和机理在刻蚀过程中，HF对二氧化硅的腐蚀发生如下反应：SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O溶液中加入H2SO4的目的是增大溶液的黏度及密度，使溶液与硅片更好的接触。HNO3主要是用来刻蚀硅片边缘处的P-N结的，相当于等离子刻蚀。碱洗（KOH）的目的及机理22KOH溶液，主要去除多孔硅和中和硅表面残余的酸。反应如下：Si+2

8、KOH+H2OK2SiO3+2H2酸洗(HF)的目的及机理23酸洗槽（去PSG）：氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。总反应式为：1.3RENA操作系统主界面1.3.1InTex操作系统主界面制绒槽