RENA培训学习

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1、Rena设备培训报告人：席累2010.09.251.RENA清洗工序的目的：�去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤）�清除表面油污（利用HF）和金属杂质（利用HCl）�形成起伏不平的绒面，增加对太阳光的吸收，增加PN结面积，提高短路电流（Isc），最终提高电池光电转换效率。2.设备构造清洗工艺步骤：制绒→碱洗→酸洗→吹干RENAIntex清洗设备的主体分为以下八个槽，此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。AlkalineEtchbathDryer1Rinse1Alkal

2、ineEtchbathDryer1Rinse1RinseRinseAcidicRinse2AcidicRinse3Dryer2Rinse2RinseRinse3Dryer2RinseEtchbath：刻蚀槽，用于制绒。所用溶液为HF+HNO3，作用：1.去除硅片表面的机械损伤层；2.形成无规则绒面。AlkalineRinse：碱洗槽。所用溶液为KOH，作用：1.对形成的多孔硅表面进行清洗；2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。AcidicRinse：酸洗槽。所用溶液为HCl+HF，作用：1.中和前道碱洗后残留在

3、硅片表面的碱液；2.HF可去除硅片表面氧化层（SiO2），形成疏水表面，便于吹干；3.HCl中的Cl-有携带金属离子的能力，可以用于去除硅片表面金属离子。3.酸制绒工艺涉及的反应方程式:HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2OSiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]Si+2KOH+H2O→K2SiO3+2H2NO2+H2O=HNO3+HNO2Si+HNO2=SiO2+NO+H2OHNO3+NO+H2O=HNO2开关机步骤开机：1确认外围设施已经就绪。水、电、气。2打开电源总开关，开

4、启制冷装置开关。3打开电脑主机开关，打开显示屏开关。4启动软件，设置成手动状态。5根据工艺要求调整机器状态。6如水、气、还没有开通，可在第一时间开动转轮马达。7检查是否有报警现象并根据实际情况予以解决。8通知工艺及生产部门交付机器。关机：1将刻蚀/制绒药剂排入储液罐中，将机器调为手动并打开drainbath。2将酸及碱槽排干并注入DI水循环，在手动的状态下运行。3关闭显示器及软件程序，后点击off。4关闭主电源，及制冷系统。5关闭水、电、气、关机结束。切换为自动模式生产1.确认各槽生产条件是否具备（液位是否达到要

5、求，循环泵是否开启，是否处于激活状态。）2.将各段滚轮关闭，且ACD解锁（因ACD与第三道滚轮互锁）。3切换到auto模式，开始生产。注：管路图，其中黄色为酸管路，紫色为碱管路，绿色为水管路，灰色为压缩空气主操作界面主操作界面ManualManual界面界面左起相应的功能键有：Modeman：手动模式Modeauto：自动模式PTfillingDI：加DI水rinsingbath：清洗槽PTfillingchemical：加化学品rinsingbathstopSystemrinsing：系统清洗fillbath：

6、由罐向槽打液Systemdraining：系统排放drainbath：由槽向罐Bathchange：内外槽更换排液Startmainfunction：启动主功能需要注意的是：1.Systemrinsing：系统清洗前会自动将槽与罐中的液体排空，在进行打水清洗2.Rinsingbath：日常维护中及应急维护时，经常需要不排液操作，此时无法进行槽体的清洗，rinsingbath只是关闭槽与罐的管路，开启槽下端阀口，只可用水枪对槽体清洗。确认ACD是否禁用RecipeRecipe界面界面滚轮速度溶液寿命循环流量刻蚀槽温

7、度写入PLC前要确认是否已经加载工艺文件，否则将会覆盖原有文件。ReplenishReplenish界面界面可对各化学药品槽手动添加化学品TrendTrend界面界面温度曲线给我们提供了直观的参考数据，便于我们发现槽体温度传感器及chiller的问题还可以对ACD风刀流速，温度进行对比，发现问题1.刻蚀的目与原理扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。同时，由于在扩散过程中氧的

8、通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG。刻蚀的目的就是进行湿法刻蚀和去除PSG。2.湿法刻蚀原理:利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。边缘刻蚀原理反应方程式：3Si+4HNO3