图解Wafer Fabrication

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1、参照教材自制的3D图解晶圆工艺流程(General)晶片生成晶圆制作原材料测试金属化CMP平坦化扩散包装晶离子注入刻蚀氧化片PR剥离PR剥离掩膜终检光刻设计晶片生成无论分立器件还是集成电路，最重要的两种半导体是硅和砷化镓。原材料得到纯度为SiC(固)+SiO₂(固)Si(固)+SiO(气)+98%的冶金级CO(气)硅MFG多晶半导体300ºCSi(固)+3HCl(气)SiHCl₃(气)+H₂(气)得到高纯度多晶硅材料EGS，杂质浓SiHCl₃(气)+H₂(气)Si(固)+3HCl(气)度约为十亿分之一单晶研磨切割抛光晶片半导体材料（衬底）制作流程切片晶片高温硅干锅沙子晶拉单柱晶硅

2、晶棒蓝宝石晶体晶棒基片蓝宝石晶棒制作工艺流程机械加工长晶:利用长晶炉生长尺寸大且高品质的单晶蓝宝石晶体定向:确保蓝宝石晶体在掏棒机台上的正确位置,便于掏棒加工掏棒:以特定方式从蓝宝石晶体中掏取出蓝宝石晶棒滚磨:用外圆磨床进行晶棒的外圆磨削,得到精确的外圆尺寸精度品检:确保晶棒品质以及以及掏取后的晶棒尺寸与方位是否合客户规格蓝宝石晶棒制作工艺流程机械加工定向:在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置,以便于精准切片加工切片:将蓝宝石晶棒切成薄薄的晶片研磨:去除切片时造成的晶片切割损伤层及改善晶片的平坦度倒角:将晶片边缘修整成圆弧状,改善薄片边缘的机械强度,避免应力集中造成缺陷抛光:改善晶

3、片粗糙度,使其表面达到外延片磊晶级的精度清洗:清除晶片表面的污染物(如:微尘颗粒,金属,有机玷污物等)品检:以高精密检测仪器检验晶片品质(平坦度,表面微尘颗粒等),以合乎客户要求.晶圆制作(General)晶圆制作测试金属化CMP平坦化扩散包装晶离子注入刻蚀氧化片PR剥离PR剥离掩膜终检光刻设计晶圆制作基本工艺n型硅晶氧化后的涂敷通过掩模板刻蚀原材料硅晶片光刻胶PR曝光光刻胶PR刻蚀完整工艺金属薄膜形成扩散剥离去除没有PR处理沉积P-N结离子注入光刻胶PR保护的SiO₂层LED晶圆制作基本工艺氮化镓层生长P电极ITO导电层N电极Mirrorp-typeGaNInGaN/GaNMQ

4、W发光层n-typeGaNSapphire蓝宝石去除氧化层