实验五(扩展存储器实验)

《实验五(扩展存储器实验)》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、《32位微机接口原理与接口》实验报告实验序号：　　01　　　　　　　实验项目名称：存储器扩展实验学　　号姓　　名专业、班09计专（2）实验地点实4#516指导教师实验时间一、实验目的及要求通过存储器扩展实验，学习存储器扩展方法和存储器读/写，并了解6264RAM的特性二、实验设备（环境）及要求MFID多功能实验平台，MF2KI集成开发环境三、实验原理利用8255进行存储器扩展6264RAM中可用的存储范围是：E000H～FFFFH，通过8255产生相应的控制信号对6264进行读/写。实验原理图如图1所示。

2、图1实验原理图四、实验内容与步骤1.实验内容：将以BUF1为首地址的N个字节，存入6264RAM的E100H开始的N个单元中，然后将6264RAM中E100H开始的N个单元的内容读入到BUF2中。2.实验步骤：首先，在平台板上，将JP5存储器电源的跳接子接上（即JP5的开关合上）。（一）方式1（Debug方式）1．在MF2KP环境下输入汇编程序，编译、连接，生成.exe文件。2．启动调试程序（Debug）。3．在程序的退出处设置断点，利用AddWatch命令查看BUF2中的内容是否正确。（二）方式2（人-

3、机交互方式）1．在MF2KP环境下输入汇编程序，编译、连接、运行。2．按提示输入数据，在屏幕显示的结果中查看BUF1,2中的内容是否一致。3．输入不同的字符串，可得到不同的结果。五、实验结果与数据处理图二：打开调试程序Debug图三：设置AddWatch命令查看BUF2和BUF1的数据图四：在程序中添加breakpoint断点图五：初始数据图六：最终结果六、分析与讨论无六、教师评语签名：日期：成绩附源码：STACK1SEGMENTSTACKDB200DUP(?)STACK1ENDSDATASEGMENTB

4、UF1DB"helloworld!"NEQU$-BUF1BUF2DBNDUP(?)RAMBASEEQU0E100HDATAENDSCODESEGMENTASSUMECS:CODE,DS:DATA,SS:STACK1START:MOVAX,DATAMOVDS,AX;WRITERAM;写存储器6264RAMPUSHSIPUSHBXPUSHCXPUSHAXMOVSI,OFFSETBUF1;主存BUF1的首址送入SIMOVBX,RAMBASE;6264RAM存储区基址送BXMOVCX,N;字节个数送CXMOVDX

5、,303H;设置8255工作方式MOVAL,80H;10000000BOUTDX,ALL1:MOVDX,302H;从8255的C口MOVAL,BH;输出地址的高8位OUTDX,ALMOVDX,301H;从8255的B口MOVAL,BL;输出地址的低8位OUTDX,ALMOVDX,303H;置写信号为低电平MOVAL,0EH;00001110B（置PC7=0）OUTDX,ALMOVDX,300H;从8255的A口MOVAL,[SI];输出8位数据OUTDX,ALMOVDX,303H;置写信号变为高电平MOV

6、AL,0FH;00001111B（置PC7=1）OUTDX,ALINCSI;主存地址加1INCBX;6264RAM地址加1LOOPL1;未完，继续写POPAXPOPCXPOPBXPOPSI;READRAM;读存储器6264RAMPUSHSIPUSHBXPUSHCXPUSHAXMOVSI,OFFSETBUF2;主存BUF2的首址送SIMOVBX,RAMBASE;6264RAM存储区基址送BXMOVCX,N;字节个数送CXMOVDX,303H;设置8255工作方式MOVAL,90H;10010000BOUTD

7、X,ALL2:MOVDX,302H;从8255的C口MOVAL,BH;输出地址的高8位OUTDX,ALMOVDX,301H;从8255的B口MOVAL,BL;输出地址的低8位OUTDX,ALMOVDX,303H;置读信号为低电平MOVAL,0CH;00001100B（置PC6=0）OUTDX,ALMOVDX,300H;从8255A口读数据INAL,DXMOV[SI],AL;数据存到BUF2中。MOVDX,303H;置读信号变为高电平MOVAL,0DH;00001101B（置PC6=1）OUTDX,ALIN

8、CSI;主存地址加1INCBX;6264RAM地址加1LOOPL2;未完，继续读POPAXPOPCXPOPBXPOPSIMOVAH,4CH;程序退出INT21HCODEENDSENDSTART