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时间:2019-03-04
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1、实验一:扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序,对实验板上提供的外部存贮器(62256)进行读写操作。二.实验目的1.学习片外存储器扩展方法。2.学习数据存储器不同的读写方法。三.实验电路及连线 将P1.0接至L1。CS256连GND孔。四.实验说明1.单片机系统中,对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作,并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠,程序转入出错处理代码段(本
2、示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错)。读写数据的选用,本例采用的是55(0101,0101)与AA(1010,1010)。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等,在实际调试用户电路时非常有效。用户调试该程序时,可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法,来观察程序执行的流程和各中间变量的值。2.在I状态下执行MEM1程序,对实验机数据进行读写,若L1灯亮说明RAM读写正常。3.也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口,用监控命令方式读写RAM,在I状态执行SX0000↓55,SPACE,屏幕上应显示55,再键入AA,SPACE,屏幕上也应显示AA,以上过程执行效
3、果与编程执行效果完全相同。注:SX是实验机对外部数据空间读写命令。4.本例中,62256片选接地时,存储器空间为0000~7FFFH。五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下:六.实验源程序:ORG0000HLJMPSTARTORG0040HSTART:MOVSP,#60HMOVDPTR,#0000H;置外部RAM读写地址MOVA,#55H;测试的数据一MOVB,AMOVX@DPTR,A;写外部RAMMOVXA,@DPTR;读外部RAMXRLA,B;比较读回的数据JNZERRORMOVA,#0AAH;测试的数据二MOVB,AMOVX@DPTR,AMOVXA,@DPTRXRLA,BJZPA
4、SS;测试通过ERROR:SETBP1.0;测试失败,点亮LEDSJMP$PASS:CPLP1.0;LED状态(亮/灭)转换MOVR1,#00H;延时DELAY:MOVR2,#00HDJNZR2,$DJNZR1,DELAYLJMPSTART;循环测试END
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