实验五扩展存储器读写实验

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1、实验五扩展存储器读写实验（开发板）一、实验要求1．编制简单程序，对开发板上提供的外部存贮器（6264）进行读写操作；2．将#0H～#0FFH的数据（若到0FFH后，再从0开始，并不断重复）逐个存到6264中的0000H开始的地址（若到1FFFH后，再从0000H开始），再将这个数从6264中读取出来，比较两者是否一致，若一致则并在P1口对应的LED上以二进制方式显示，若不一致则蜂鸣器报警，并停止操作；3．用P3.4控制蜂鸣器；4．画出STC89C51实现上述功能的完整电路图，包括单片机电源、复位电路、晶振电路和控制电路。5．完成全部程序和电路调试工作。二、实验目的1．

2、掌握AT89C51单片机的片外存储器扩展电路设计；2．学习总线操作方法。3．学习外部数据存储器的读写方法；三、设计提示1.以P0口线作地址/数据总线，由于P0口线既作地址线，又作数据线，因此需要加一个8位锁存器SN74LS573用于锁存低8位地址。2.因6264存储芯片只能扩展到8K，这样只需P2口线的P2.0~P2.4。与P0口组成13位地址总线，使单片机系统的寻址范围达到8K。3.除了地址线和数据线之外，在扩展系统中还需要一些控制信号线，以构成扩展系统的控制总线，6264的OE信号与单片机的RD信号连接，6264的WE信号与单片机的WR信号连接。此外，6264的C

3、S2（即CS）直接通过1K电阻与VCC连接，6264的CS1（即CE）单片机的P2.5连接，因此6264的地址范围是0000H～1FFFH。4．使用MOVX外部数据存储器操作指令5.从存储器读回的数据取反后再送P1口即可。四、程序设计1．6264芯片写程序设计根据时序图：图1写6264时序图2．6264芯片读程序设计根据时序图：图2读6264时序图3．参考流程框图如下入口置#00H数据写外部RAM读外部RAM送P1显示数据加1NY地址到1FFFH地址初值0000H地址加1数据是否一致Y延时蜂鸣器响N图5流程图五、主要元件序号元件名称元件规格所在元件库所在工具模型1单片

4、机AT89C51MicroprcessorComponentmode2按钮BUTTONSwitchs&RelayComponentmode3晶振CRYSTALMiscellaneousComponentmode4发光二极管LED-REDOptoelectronicsComponentmode5电容CAPCapacitorsComponentmode6电解电容CAP-ELECCapacitorsComponentmode7电阻RESResistorsComponentmode8数据锁存器74HC753TTL74HCseriesComponentmode9存储器6264M

5、emoryICsComponentmode10蜂鸣器BUZZERSpeakers&SoundersComponentmode11快速二极管1N4148DiodesComponentmode12NPN三极管2N3019TransistorsComponentmode13电源POWERTerminalsmode14地GROUNDTerminalsmode15电源输入端SIL-100-02connectorsComponentmode