实验一存储器读写实验

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1、实验一存储器读写实验一、实验目的1、复习相关汇编程序及其调试2、熟悉掌握对RAM的操作二、预备知识1、SRAM6116引脚读写操作2、SRAM3、常用调试命令1.HM6116它是2K*8位的高速静态CMOS随机存取存储器,其基本特征是:（1）高速度------存取时间为100ns/120ns/150ns/200ns(分别以6116-10、6116-12、6116-15、6116-20为标志)。（2）低功耗——运行时间为150mW,空载时为mW。（3）与TTL兼容。1.HM6116（4）管脚收出与标准的2K*8b的芯片（例

2、如，2716芯片兼容）。（5）完全静态——无须时钟脉冲与定时选通脉冲。（6）HM6116有11条地址线、8条数据线、1条电源线、1条接地线GND和3条控制线——片选信号/CE、写允许信号/WE和输出允许信号/OE。A10～A0（addressinputs）：地址线，可寻址2KB的存储空间。D7～D0（databus）：数据线，双向，三态。/OE（outputenable）：读出允许信号，输入，低电平有效。/WE（writeenable）：写允许信号，输入，低电平有效。/CE（chipenable）：片选信号，输入，低电平

3、有效。VCC：＋5V工作电压。GND：信号地。6116的操作方式6116的操作方式由/WE、/OE、/CE的共同作用决定①写入：当/WE和/CE为低电平时，数据输入缓冲器打开，数据由数据线D7～D0写入被选中的存储单元。②读出：/OE当和/CE为低电平，且/WE为高电平时，数据输出缓冲器选通，被选中单元的数据送到数据线D7～D0上。③保持：当/CE为高电平、/OE和/WE为任意时，芯片未被选中，处于保持状态，数据线呈现高阻状态。动态调试工具DEBUG的常用命令1.U命令(反汇编)2.G命令(执行)3.T命令(跟踪执行)4

4、.D命令(显示内存)5.R命令(修改寄存器)三、实验内容1、将字符A-Z逐个存入RAM中，然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。2、用一片6116作为内存扩展，向8000H：0H至8000H：100H单元的偶地址单元送入0AAH（扩充）1、将字符A-Z逐个存入RAM中，然后再将这些内容读出来显示在实验箱的屏幕上。CODESEGMENTASSUMECS:CODESTART:JMPSTART_DATDB26DUP(?)CHARDB'ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ'RAMDUXIE.ASMSTART

5、_:MOVAX,CSADDAX,10HMOVDS,AXLEABX,CHARMOVCX,26MOVSI,BXLEABX,DATMOVDI,0WRITE:LODSBMOVBYTEPTR[BX][DI],ALINCDILOOPWRITEMOVCX,26LEABX,DATMOVSI,BXREAD:LODSBCALLSHOWNOPNOPNOPLOOPREADJMP$BUSYPROCPUSHDXPUSHAXBUSY1:MOVDX,84HINAL,DXANDAL,80HJNZBUSY1POPAXPOPDXRETBUSYENDPSHOW

6、PROCNEARPUSHDXPUSHAXCALLBUSYMOVDX,88HOUTDX,ALPOPAXPOPDXRETSHOWENDPCODEENDSENDSTART实验现象：屏幕将显示26个大写的英文字母。思考题：按信息的存储方式，RAM分为哪几类，6116属于哪一类？2、用一片6116作为内存扩展，向8000H：0H至8000H：100H单元的偶地址单元送入0AAH（扩充）实验线路连接：（1）本实验用到的主要模块：6116模块、地址及数据总线单元等；（2）数据线接系统数据总线输出单元任意一插座；（3）地址接地址总线输出

7、单元的A0~A7。实验程序与流程图CODESEGMENTASSUMECS:CODESTART:MOVCX,50HMOVDI,0MOVAX,8000HMOVDS,AXMOVES,AXWRITE:MOVAL,0AAHSTOSBMOVAL,55HSTOSBLOOPWRITEMOVCX,50HMOVSI,0000HREAD:LODSWCMPAX,55AAHJNZNOT_RIGHTLOOPREADMOVAL,'R'MOVDX,88HOUTDX,ALJMP$NOT_RIGHT:MOVAL,'E'MOVDX,88HOUTDX,ALJM

8、P$实验现象：如果存储器没有错误，将显示字符‘R’，否则，显示字符‘E’。思考题：RAM和ROM有什么区别？掉电后，两种存储器的内容有什么变化？