SU-8胶光刻工艺

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1、UV-LIGA工艺技术规范编制单位:华中科技大学MEMS中心编制人:徐智谋何少伟编制日期:2004.10UV-LIGA工艺规范一工艺路线及工艺流程.................................................................................................................31.1工艺路线.................................................................................................

2、..........................31.2工艺流程...........................................................................................................................31.2.1SU-8胶光刻工艺.................................................................................................31.2.2Polydimethysilox

3、ane(PDMS)浇铸成模................................................................41.2.3PDMS表面金属化...............................................................................................41.2.4在PDMS样品上电铸微模具..............................................................................4二试验平台.

4、....................................................................................................................................5三试验样品.....................................................................................................................................63.1SU-8胶结构.........

5、............................................................................................................73.2PDMS表面金属化...........................................................................................................8一工艺路线及工艺流程1.1工艺路线微塑铸掩膜板PDMSSU-8SU-8Si片或玻璃片Si片或玻璃片PDMS金属化光刻金属Ni

6、PDMS光刻SU-8图形微电铸Si片或玻璃片电铸金属镍PDMS1.2工艺流程1.2.1SU-8胶光刻工艺1)对衬底进行清洗，并在200℃烘30分钟以上以去除表面水分子；2)用厚胶甩胶工艺在基片表面旋涂所需要厚度的SU-8胶；3)利用热板对SU-8胶进行前烘处理,在热板上缓慢冷却；4)在KarlSussMA6紫外光刻机上进行接触式曝光；5)对曝光后的SU-8胶在热板上进行后烘热处理，得到交联的SU-8胶结构；注:由于交联的SU-8胶结构内应力很大,可以导致基底弯曲变形和胶的开裂.所以加热必须缓慢,冷却应在热板上随热板冷却到室温。6)超声显影，得到光刻胶图形。7)将SU-8胶微结

7、构在150℃-200℃下在热板上进行固化.不同厚度SU8光刻工艺参数前烘时间后烘时间厚度甩胶速率曝光时间显影时间固化时间光刻胶[min][min][µm][rpm][sec][min][min]65℃95℃65℃95℃50SU-82520003530402510810100SU-8501500353012025151216200SU-8751100359015025302025300SU-87580035200250254030351.2.2Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模1)