光刻胶与光刻工艺技术

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1、第12章光刻I光刻胶与光刻工艺技术微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小区域内，然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路。确定这些区域图形的工艺是由光刻来完成的，也就是说，首先在硅片上旋转涂覆光刻胶，再将其曝露于某种光源下，如紫外光、电子束或X－射线，对抗蚀层进行选择性的曝光。完成这项工作需利用光刻机、掩模版，甚至电子束光刻时的数据带。曝光后的硅片经过显影工艺就形成了抗蚀剂图形。显影后仍保留在硅片上的抗蚀剂保护着其所覆盖的区域，已去除抗蚀剂的部分必须进行一系列增加(如淀积金属膜)

2、或去除(如腐蚀)工艺，以将抗蚀图形转印到衬底表面。下面三章详细地叙述了VLSI的光刻工艺。第一章是抗蚀剂的特性和VLSI制造中的光刻工艺技术。这个讨论仅限于光学曝光所用的抗蚀剂。第二章讨论的是曝光工具，也即描述了光学光刻机和光掩膜。第三章讲述了先进的光刻技术，包括电子束、离子束和X－射线图形形成技术。抗蚀剂基本术语光刻工艺基本步骤如图1所示。抗蚀剂(PR)作为一层薄膜涂覆到基片上(如硅上面的二氧化硅上),再通过掩膜版曝光。掩膜版要保持干净，并含有要转印到衬底上的不透明图形，以便在PR层上复制。PR经曝光后

3、的区域有时变成可溶于显影液性的，有时变成不溶于显影液性的。如果曝光后变得可溶于显影液，则在抗蚀剂上产生掩膜的正性图形。这种物质就称为正性抗蚀剂。反之，若未曝光区溶于显影液，就产生负性图形，就是负性抗蚀剂。显影后，未被抗蚀剂覆盖的SiO2层就被腐蚀掉。这样就在氧化层上复印了掩膜版图形。1在这步工艺中抗蚀剂有两个作用。首先必须对曝光有反应，以把掩膜版图形复印到抗蚀剂上。其次余留的抗蚀剂在后面的工艺中必须保护下面的衬底。正如抗蚀剂的名字一样，这种物质具有抵抗腐蚀的能力。尽管半导体生产中使用正性和负性两种抗蚀剂，

4、但由于正性抗蚀剂具有较高的分辨能力，故VLSI中全部选用正性抗蚀剂。正因如此，本章几乎所有的讨论都限于正性抗蚀剂和它的工艺。传统的正性光学光刻工艺和抗蚀剂能适应于0.8～1.5µｍ的VLSI生产。到了亚微米阶段，由于曝光中产生的衍射效应，必须发展分辨率更高的技术来代替光学光刻。通常，抗蚀剂的使用者并不过多关心抗蚀剂复杂的化学成分，而对其性能较关心。本章主要讨论其性能。通常的光致抗蚀剂由三种成分组成：a)、基体材料(也叫树脂)，作为粘合剂，确定了膜的机械特性；b)、增感剂(也叫阻化剂),是一种感光的化合物(

5、PAC)；c)、溶剂(不同于显影液溶剂)，使抗蚀剂保持液态，但涂在衬底上时会挥发掉。基体材料通常对入射辐射无反应。也就是说，照射下不发生化学变化，但提供了有粘附力和耐腐蚀性的保护层，也确定了抗蚀剂的其它薄膜特性，如厚度、折射性和热流稳定性。2增感剂是抗蚀剂中对光化学辐射有反应的成分。词语“光化学的”与引起光化学变化的辐射能量特性有关(尤其是在可见光和紫外光区间)。增感剂给抗蚀剂提供耐显影剂特性和辐射吸收特性。光致抗蚀剂材料参数前面已经指出，抗蚀剂有两基本功能：1)、精确图形形成；2)、刻蚀时保护衬底。抗蚀

6、剂本身所拥有的一系列材料特性影响了这些功能的实现。这些材料参数可分为三类：a)、光学性质：包括分辨率、感光灵敏度和折射率；b)、机械及化学性质：包括固体成分含量、粘度、附着力、抗蚀能力、热稳定性、流动特性及对环境气氛如氧气的敏感度；c)、有关加工和安全的性能：包括清洁(颗粒含量)、金属杂质含量、工艺宽容度、贮藏寿命、闪点及安全极限浓度(TLV，毒性的测量)。这一节里讨论这些参数、了解这些参数有助于正确地选择与使用光刻胶。同时也给出了测量大多数参数值的方法。分辨率光刻工艺的分辨率在第十三章中有正规定义，是根

7、据光刻曝光设置的调节转换功能和与光刻胶匹配性定义的。然而，该词并不很正规，在工业中却广泛应用，以指定在合理的生产变化情况下复制最小尺寸像的能力。这样为了建立亚微米特性器件，就必须具有亚微米分辨率的光刻工艺。用这种观点定义线宽也是很有用的。线宽是水平距离，L，即线条的截面图中光刻胶材料与气流边缘之间的距离。这是在光刻胶－衬底界面上指定高度处。(图2)。由于可以用不同的测量方法(如SEM或光学)测量同一线条的线宽。这些线条可以是在截面图中不同高度处。故很容易确定获得线宽的技术(如SEM线宽或光学线宽)。线宽测

8、量技术在线宽测量中讨论。线宽测量是显影后检测一节的一部分。3光刻工艺的分辨率受工艺多方面的限制，包括：1)、硬件(如光的衍射、镜头色差和设备的机械稳定性)；b)、光刻胶的光学特性；c)、工艺特性(如适当烘烤、显影、后烘、刻蚀)。硬件对分辨率的限制在第十三章中讨论。本章的光刻胶处理部分讨论光刻工艺对分辨率的限制。本节将讨论材料特性对分辨率的影响。材料特性包括反差、溶胀和热流等。光刻胶材料的反差和溶胀对曝光和显影步骤有影响。热流则