DDR时序测试方法

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1、DDR时序测试方法1.参考文献:RS–Springdale-G/P/PEMCHexternaldesignspecification(EDS)addendum(number:780)2.测试目的:在P4D项目(Springdale-G/PE)中,主要看SystemddrData和Strobe信号的时序质量是否满足规范要求.3.测试内容和规范特别说明:时序测试中参考电平的值为0.5*Vcc_DDR,具体值的计算如下表:symbolparameterminNomMaxUnitVCC_DDRDDRi/osupplyvoltage2.52.62.7V0.5*VC

2、C_DDR(参考电平)1.251.31.35VTable1DDRinterfaceACcharacteristicsat400MHZ(springdaleG/PEonly)SystemmemoryclocktimingssymbolparameterminmaxunitfigurenotesTckSCMDCLKperiod5.0nsTchSCMDCLKhightime2.23nsTclSCMDCLKlowtime2.23nsTjitSCMDCLKcycletocyclejitter300psTskewSCMDCLK/SCMDCLK#)300pssyste

3、mmemorydataandstrobesignaltimingsymbolparameterminmaxunitfigurenotesTdvbSDQ[63,0],SDM[7:0]validbeforeSDQ[7:0]risingorfallingedge0.89nsTdvaSDQ[63,0],SDM[7:0]validafterSDQ[7:0]risingorfallingedge0.89nsTsugmchSDQinputsetuptinetoSDQSrisingorfallingedge-0.58nsThdgmchSDQinputholdtineaf

4、terSDQSrisingorfallingedge1.7nsTdssgmchSDQSfallingedgeoutputaccesstimetoSCMDCLKrisingedge1.78nsNote2TdshgmchSDQSfallingedgeoutputaccesstimetoSCMDCLKrisingedge1.88nsNote2TwpregmchSDQSwritepreambleduration3.353.9nsTwpstgmchSDQSwritepostambleduration2.1nsTdqssgmchSCMDCLKrisingedgeou

5、tputaccesstime,whereawritecommandisreferencedtothefirstSDQSrisingedge4.235.73nsTpoeSCMDCLKrisingedgeoutput0.53nsNote2accesstime,whereawritecommandisreferencedtotheSDQSpreamblefallingedgeNote2:SCMDCLK上升沿参考SCMDCLK上升沿和SCMDCLK#下降沿的交叉点;SCMDCLK下降沿参考SCMDCLK下降沿和SCMDCLK#上升沿的交叉点,即参考电平为1.3V

6、.(参考电平以intel最新规范为主)1.DDR信号说明1)DDR信号分组及描述2)数据和选通信号的对应关系(共8组):3)对应每个具体项目,规范中的信号名和项目中的信号名有所区别,以P4D为例,对应如下:SDQ[63,0]—MD_A[63,0]或MD_B[63,0]SDM[7,0]—DQMA[7,0]或DQMB[7,0]SDQS[7,0]—DQSA[7,0]或DQSB[7,0]2.测试配置1)硬件设置:a)示波器:TEK7104或带宽更高的示波器如7404b)探头:带宽为1.5G的探头P6245共3个,a)测试前各通道探头必须deskew,保证测试结果

7、的正确性,参考deskew方法b)测试时调用配置文件DDR.set(自建,包括触发模式,触发电平,偏移电平,垂直与水平刻度等)c)注意:所需示波器带宽按照被测CLOCK和选通信号的上升和下降时间确定.d)为减小读数误差,测试时尽量让显示图形充满屏幕2)软件设置:运行DDRmargin程序或3DMARK2002.2.测试方法1)tdvb1.1)参数意义:tdva和tdvb是在写操作时的时序.分别表示写操作时数据信号的建立时间和保持时间.tdvb是写操作时数据信号的建立时间,指从数据信号有效到选通信号的上升沿(或下降沿)的时间,数据信号包括SDQ[63,0]

8、,SDM[7,0];选通信号包括SDQS[7,0].1.2)测试方法(说明:测试

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