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时间:2019-07-18
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1、封装与测试PACKAGING&TESTINGDDR3测试的挑战及解决方法作为DDR2的继任者,DDR3具有更高的速度、更大的容量和更低的功耗。带来更高速度的同时,DDR3对测试速度、精度和效率也提出了更高的要求。为DDR2的继任者,根据JEDEC标和低电压的条件下对DDR3进行测试,信号完Advantest(Suzhou)Co.,Ltd.作准,目前DDR3的数据速率跨度从整性的好坏至关重要,同时也对测试设备的性800Mbps开始直至1.6Gbps。在带给能提出了更苛刻的要求。用户更快性能体验的同时,DDR3却能保持较低的功耗,
2、相比DDR2减少约20%。虽然2008I/O死区年整个DRAM市场低迷,DDR3的出货量远低信号在传播的过程中存在一定的延时。写于原先的预期,但是随着Intel和AMD相继推数据时,测试通道提前将数据输出,以保证其出DDR3平台的处理器,以及移动式平台的推在预定时刻到达芯片管脚;读数据时,测试通广,DDR3代替DDR2成为主导将是今后的必然道延迟触发采样信号,延迟的时间为信号传输趋势。延迟。在STL(SingleTerminationLine)连接价格也是DDR3平台是否能早日推广的重方式下,由于测试周期的缩短,信号传播延时要
3、因素之一,这也给各存储器厂商带来了不小将变得不可忽视。在这种情况下,测试通道的的成本压力。高效、低成本的测试方案将是关输出与芯片的输出信号将会发生重叠,重叠的注的重点。同时,由于速度的提高,测试平台时间区域称为I/ODeadBand。必须提供更高的测试频率来验证DDR3芯片的对比DQ信号的SHMOO眼图,可以清楚看可靠性,以及更精确的手段来进行时间参数的到I/ODeadBand使得数据窗口的高度和宽度减测量。小,原本PASS的区域变成FAIL,从而造成数据误判。DDR3测试的挑战不可忽视的信号抖动(jitter)更高的工作频率
4、随着数据速率的提高,数据周期的宽度将根据不大于1.25ns,甚至达到0.625ns。由于jitter的大JEDEC的相关小相对与周期宽度变得不可忽视,时间参数测标准,DDR3的试变得更加困难。此外,jitter还会造成有效数数据速率高达据窗口的缩小,造成信号的误判。因此,测试图1.DDR3的数据速率范围1.6Gbps。随着设备应能提供一种精确、高效的时间参数测量DDR技术的飞快手段,以应对jitter带来的不利影响。发展,市场上甚至出现了2GbpsFly-by拓扑结构的DDR3模组。为了改善信号完整性,DDR3内存模组采此外,
5、为了实现用了Fly-by拓扑结构。模组上的DDR3芯片共更高的速率和享一组CLK管脚、地址管脚和控制管脚。由于更低的功耗,信号传播延迟的存在,模组上的DDR3芯片会DDR3采用了更在不同时刻进行数据的输入/输出。在进行模组低的电压,仅为测试时,测试设备应具备对不同测试通道进行图2.I/ODeadBand1.5V。在高频率时间补偿的能力。(下接P48页)44SIC0905封装测试.indd442009.4.294:09:02PM基础知识HOWTOMAKEACHIP响印刷图形。UVision用了266nm的激光光源(保证了光的的出
6、现为雾状缺陷的解强度),增强明场的分辨率,减少像决提供了第三种方案,素,最大化明场和暗场的信号收集,即用晶圆检测机台和光减少噪音的影响;同时,辅以偏振光罩监测机台组合检测这和CLC遮板。光电倍增管探测器能同种缺陷,它能够克服前时收集明场(反射光)和灰场(散射两种方案的缺点。在很光)的信号。这些独特的设计保证了多情况下,UVision能够UVision在光阻层缺陷检测具有很大的在产品光阻上直接监测优势。缺陷的监测是基于信噪比,即图2深紫外缺陷检测随半导体技术的变化趋势到这种缺陷,节约了开缺陷和背景的灰度比。背景的噪音信支和时间。
7、号能够通过光的偏振或者CLC遮板被降2.光阻层缺陷随低,大大提高了缺陷的报警准确率。着l93nm光刻技术的应3.浅槽隔离的空洞缺陷(STI用,光阻层的缺陷检测Void)空洞缺陷是浅槽隔离的一种关面临着新的挑战。一方键缺陷,它对芯片的电性能会产生重要面,光阻材料和抗反射影响。传统的明场检测机台的分辨率受薄膜对光的反射能力制于其像素数的限制(1/2像素数),图3不同缺陷在明场/暗场中的信号较差,不易检测;另一无法检测到小于30nm的空洞缺陷。而了其寿命,成本较高。第二种解决方案方面,光阻层具有较强的背景噪音,UVision的灰场对
8、缺陷的监测则不受之除了光罩检测机台比较昂贵以外,它本其信号和小的缺陷相当。UVision的限制,取决于缺陷的信噪比,它可以检身不能直接检测到光罩缺陷如何最终影设计考虑了先进显影技术的需求,采测到的最小缺陷可达20nm。图3.I/ODeadBand造成数据窗口缩小。以获得PAS
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