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1、DeviceOperationsDDR2SDRAMDDR2SDRAM操作时序规范1DeviceOperationsDDR2SDRAM基本功能简单状态转换图:初始化CKELOCD校准自我刷新SRFCKEHPR空闲设定(E)MRSREFMRS所有蔟已刷新EMRS预充电完成CKELACTCKELCKEH预充电断电CKEL激活CKELCKEL主动自动默认流程断电CKEH外加命令流程CKEL簇激活ReadWriteWriteReadWRARDARead写数据读数据WriteWRARDAWRARDA带自动预PR,PRA带自动充电的写预充电的读PR,PRAPR,PR
2、A预充电CKEL=CKE低,进入断电状态CKEH=CKE高,结束断电状态,结束自我刷新ACT=激活命令WR(A)=带自动预充电的写命令RD(A)=带自动预充电的读命令PR(A)=所有簇自动预充电命令(E)MRS=设定(扩展)模式寄存器命令SRF=进入自我刷新命令REF=刷新命注意:要谨慎使用此图.此图只是提供了所有可能的状态和状态见转换的控制命令,而非全部细节.实际使用过程中可能出现的包括不止一个簇,激活或禁止片内终结电阻,进入或结束断电状态等情况,这些情况的细节并没有全部列入上面的状态转换图。2DeviceOperationsDDR2SDRAM基本功
3、能对DDR2SDRAM的访问是基于突发模式的;读写时,选定一个起始地址,并按照事先编程设定的突发长度(4或8)和突发顺序来依次读写.访问操作开始一个激活命令,后面紧跟的就是读或者写命令。和激活命令同步送达的地址位包含了所要存取的簇和行(BA0,BA1选定簇;A0-A13选定行).和读或写命令同步送达的地址位包含了突发存取的起始列地址,并决定是否发布自动预充电命令。在进行常用的操作之前,要先对DDR2SDRAM进行初始化.下面的几小节介绍初始化的详细信息,寄存器的定义,命令的描述和芯片的操作。上电和初始化DDR2SDRAM必须以预定义的时序进行上电和初始
4、化.不按规定的操作将导致不可预期的情况出现。.上电和初始化时序1.对于上电和初始化来说,下列时序是必须的。供电且保持CKE低于0.2*V,ODT*1要处于低电平状态(所有的其余脚可以都没有定义.)电源上升沿不可以有任何翻转,上升沿时间不能大于200mS;DDQ并且要求在电压上升沿过程中满足,VDD>VDDL>VDDQ且VDD-VDDQ<0.3volts.-V*2,V*2和V必须由同一个电源芯片供电,并且DDDDLDDQ-VTT最大只能到0.95V,并且-Vref要时刻等于VDDQ/2.,紧跟VDDQ变化。或者-在给V上电的同时或之前就给V*2.上电DD
5、LDD-在给V上电的同时或之前就给V*2上电DDQDDL-在给VTT&VREF上电的同时或之前就给VDDQ上电.上面的两个条件至少要满足一个。2.开始时钟信号并保持信号稳定.3.在稳定电源和时钟(CK,/CK)之后至少200s,然后发布NOP或者取消选定命令&拉高CKE.4.等待至少400ns然后发布预充电所有簇命令.在等待的400ns过程中要发布NOP或者取消选定命令.5.发布EMRS(2)命令.(EMRS(2)命令,需要将BA0拉低,将BA1拉高.)6.发布EMRS(3)命令.(为了发布EMRS(3)命令,将BA0和BA1拉高.)7.发布EMRS
6、命令以激活DLL.(为了发布"DLL激活"命令,将A0拉低,BA0拉高并且将BA1-2和A13-A15置低.)8.发布MRS命令实现“DLL复位”*2.(为了发布DLL复位命令,需要将A8拉高并使BA0-1为低)9.发布预充电所有簇命令。10.至少发布两次自动刷新命令.11.将A8拉低,发布模式寄存器设定命令(MRS)对芯片进行初始化操作.(也就是不对DLL复位,编程芯片的操作参数)12.在第8步之后至少过200个时钟周期,执行OCD校准(片外驱动电阻调校).如果不使用OCD校准,EMRSOCD校准模式结束命令(A9=A8=A7=0)必须在EMRSOC
7、D默认命令(A9=A8=A7=1)之后发布,用来设定EMRS的其它操作参数。13.现在,DDR2SDRAM就准备好可以进行普通的操作了。.*1)为了保证ODT关闭,VREF必须有效并且ODT脚必须拉低.*2)如果VDDL或VDD的电平值在正常操作过程中人为改变,(例如e,为了VDD相交测试,或者节省功率)则必须执行“DLL复位”.3DeviceOperationsDDR2SDRAM上电后的初始化时序图tCHtCLCK/CKtISCKEtISODTPREPREANYCommandNOPEMRSMRSREFREFMRSEMRSEMRSALLALLCMD40
8、0nstRPtMRDtMRDtRPtRFCtRFCtMRDFolowOCDtOITFlowch