儿童颞骨低剂量ct扫描研究及人工耳蜗植入术后ct评估

《儿童颞骨低剂量ct扫描研究及人工耳蜗植入术后ct评估》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、上海交通大学硕士学位论文上海交通大学2010级硕士学位论文儿童颞骨低剂量CT扫描研究及人工耳蜗植入术后CT评估Low-doseTemporalBoneCTinChildrenandEvaluationofCTforCochlearImplants研究生姓名郑慧学号1107229347指导老师李玉华教授学科专业影像医学与核医学研究方向小儿神经与五官影像学培养单位上海交通大学医学院附属新华医院申请学位类别医学硕士学位论文提交日期2013年4月基金资助项目：上海市科委基础重点继续支持项目（10JC1411500,2010-2013）I万方数据上海交通大学硕士学位论文II万方

2、数据上海交通大学硕士学位论文III万方数据上海交通大学硕士学位论文中文摘要第一部分儿童颞骨低剂量CT扫描可行性研究目的：通过不同管电压、管电流参数组合对尸头颞骨进行扫描，比较各组扫描条件下的图像质量及有效剂量，探讨256层iCT颞骨低剂量扫描的可行性及最佳参数；将最佳参数应用于儿童颞骨CT扫描，分析儿童颞骨CT低剂量扫描的可行性，以此减少儿童X线辐射。材料与方法：（一）应用飞利浦256层iCT，采用螺旋扫描模式，按电压120kV、100kV和80kV分为三组，每组用不同的管电流对一具尸头的颞骨进行扫描，采用管电流250mAs、220mAs、190mAs、160mAs、

3、130mAs、100mAs、70mAs、40mAs8个等级，重建算法采用iDoselevel3。（二）比较各组扫描条件下的有效剂量及图像噪声，选取密度相对均匀的脑干区域CT值的标准差作为图像噪声。采取双盲法，由两位高年资头颈部放射科医生对锤骨头、砧镫关节等临床意义较大的结构进行评分及比较，利用配对t检验，计算两位医生评分的一致性，筛选出既能满足诊断要求且辐射剂量较低的最佳参数组合。（三）将最佳参数组合应用于需要进行颞骨HRCT检查的一组儿童患者，共27例，排除病变耳，共49耳。（四）回顾性分析常规剂量扫描下儿童颞骨CT图像，管电压120kV，管电流时间乘积250mAs

4、，其余参数与低剂量组相同。搜集病例36例，排除病变耳，共63耳。（五）儿童颞骨CT图像主观评估方法同预实验，计算两组儿童所有结构评分IV万方数据上海交通大学硕士学位论文的频率，比较低剂量组与常规剂量组图像质量。（六）依照欧盟标准中有效剂量转换系数年龄的划分将两组儿童分为4组，比较各年龄组内低剂量组及常规剂量组的有效剂量以及年龄组间相同参数扫描下的有效剂量。结果：尸头颞骨CT扫描结果显示管电压100kV、管电流时间乘积70mAs组合条件下主观评分平均分62分，大于48分，仍为合格。虽然图像噪声由57.9增至144.4，有效剂量较常规扫描明显降低，由0.90mSv降至0.

5、15mSv。两位医生评分一致性良好，t=-1.50，p=0.028>0.05。将此参数应用于儿童，低剂量组两位医生评估一致性良好，t=-1.063，p=0.292>0.05；常规剂量组两位医生评估的一致性良好，t=-1.793，p=0.077>0.05。低剂量组5分者比例为58.67%，4分者比例为38.14%，3分者3.19%。常规剂量组图像质量评分5分者比例为91.22%，4分者7.49%，3分者1.29%；二组均无1分及2分的图像，即图像质量较差的图像。分别将两组儿童按照年龄分为4组，各年龄组内低剂量组有效剂量明显较常规剂量组低，约为常规剂量组的1/5~1/6，

6、年龄组间相同参数扫描条件下婴幼儿明显较大龄儿童为高，婴幼儿约为大龄儿童的3倍。结论：颞骨低剂量扫描切实可行，100kV、70mAs扫描条件下CT的图像虽然噪声明显增高，但仍然可以满足诊断要求。低剂量组及常规剂量组儿童相比较，在有效剂量降低了5~6倍的情况下，CT图像依然可以清晰的显示中耳及内耳的解剖结构。相同扫描条件下，婴幼儿接受的有效剂量明显较大龄儿童高。【关键词】颞骨；辐射剂量；X线计算机断层成像；儿童V万方数据上海交通大学硕士学位论文第二部分人工耳蜗植入术后CT评估目的：电子耳蜗是可使重度及极重度感音神经性耳聋患者获得听力的电子装置，本研究利用多种后处理重建方法

7、显示耳蜗电极以及计数植入电极，对电极显示清晰度进行评分，探讨256层螺旋CT人工耳蜗植入术后影像学评估的作用。材料与方法：回顾性分析了在我院行人工耳蜗植入术术后进行颞骨HRCT检查的患儿共计15例，其中男7例，女8例，年龄2~10岁，中位年龄4岁，所有患儿的临床及影像学检查资料齐全。扫描仪采用飞利浦256层BrillianceiCT，后处理工作站为EBW，采用螺旋扫描模式。扫描参数：管电压120kV，管电流时间乘积250mAs，视野200mm，螺距0.391，准直64×0.625，层厚0.675mm，间隔0.335mm，虑过函数：Y-sharp（C）