inp hbt器件大信号模型研究

《inp hbt器件大信号模型研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、西安电子科技大学学位论文独创性（或创新性）声明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。本人签名：日期西安电子科技大学关于论文使用授权的说明本人完全了解西安电子科技大学有关保留

2、和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。（保密的论文在解密后遵守此规定）本学位论文属于保密，在年解密后适用本授权书。本人签名：日期导师签名：日期摘要摘要磷化铟（InP）是一种重要的半导体材料，广泛的应用于高频电路特别是微波毫米波电路领域。InP基的异质结双极晶体管（HBT）由于具有高频性

3、能好、功率密度高以及抗干扰能力强等优点，逐渐成为未来无线通信及光纤通信应用中重要的高频电子器件之一，应用前景广阔。但是其器件模型的发展还未成熟，仍处于探索阶段，本文就对InPHBT器件的大信号模型进行了研究。本文首先对HBT器件的特性进行了研究，研究了HBT大信号等效电路模型的发展，根据InPHBT器件本身的特点，基于SDD技术，建立了基于AgilentHBT模型的修正的InPHBT大信号等效电路模型。文中对模型的改进主要体现在对模型的集电极和基极电流进行了漏电流的修正，使模型更符合器件实际的特点，其次将模型自热网络由二阶RC网络简化为一阶RC网

4、络，一阶的RC网络已经能够很好的描述器件的自热效应，而且简化之后，对模型热阻效应参数的提取更加简便。最后对模型进行了完整的参数提取，并比对仿真结果和测试结果，结果较为满意。关键词：磷化铟异质结双极晶体管大信号模型ABSTRACTABSTRACTIndiumphosphide(InP)isanimportantsemiconductormaterial,whichiswidelyusedinhigh-frequencycircuits,especiallyinthefieldofmicrowaveandmillimeterwavecircuit.I

5、nP-basedheterojunctionbipolartransistor(HBT)hasgoodhigh-frequencyperformance,highpowerdensityandanti-interferenceability,becomingoneoftheimportanthigh-frequencyelectronicdevicesinthewirelesscommunicationsandopticalfibercommunicationapplicationsinthefuture.Theprospectsoftheapp

6、licationisbroad.However,thedevelopmentofdevicemodelsisnotyetmatureandstillintheexploratorystage.Thispaperismainlyaboutthestudyoflarge-signalmodelonInPHBTdevices.Inthispaper,firstly,westudythecharacteristicsofHBTdevicesandthedevelopmentofHBTlarge-signalequivalentcircuitmodel.T

7、hen,basedonthecharacteristicsoftheInPHBTdevices,wedevelopanewlarge-signalequivalentcircuitmodel,amodifiedAgilentHBTmodel,whichismoresuitableforInPHBT,basedonSDDtechnigue.Improvementofthemodelismainlyreflectedinthecorrectionofcollectorandbaseleakagecurrenttomakethemodelmoreinl

8、inewiththecharacteristicsoftheactualdevice.Thenwesimplifythemodelsel