inp基器件与电路的应用备受瞩目

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1、InP基器件与电路的应用备受瞩目 ApplicationWorld ~_I口墨圈皿皿皿匝田r— InP基器件与电路的应用备受瞩目 ◇信息产业部电子第五十五研究所黄火石 摘要:本文概述InP基HEMT与HBT器件s电路.在微波与毫米微波范围由于低噪声.功率应用 的优越性能.而lnp基器件与电路在高速光通信和高频无线通信领域8趋或熟.备受瞩目 同顾InP技术的发展过程,最早可追

2、.._-’溯到1959年第一只ImP太阳能电 池的问世.此后以1975年的第一只 InGaAsP/InP激光二极管和第一只InP 微波晶体管的研制成功为标志,InP技术 首先在

3、1.30~1.55”m波长范围的光电 子器件领域确立应用地位,并同时在微 波,毫米波器件领域显示其独特作用.目 前应有领域包括:1.光通信用激光器,激 光器阵列,放大器,调制器和探测器;2. 微波,毫米波器件(>20GHz);3,光电 子集成电路(OEIC,主要是光接收机); 4.光集成电路(PIC);5.光电阴极 (Photocathode);6.太阳能电池及其它. 最近10年来,ImP基微波,毫米波 器件及电路技术取得长足进步.虽然目 前ImPIC正面临着像GaAsIC在10年 前同样出现过的与价格,生产效率,可靠 性和综合加工能力等相关的

4、问题,但是, 包括TRW,NTT,Hughes(HRL), LockheedMartin(Sanders)等引导世界 InP技术发展潮流的着名公司最近一致 认为目前技术正在成熟,而且不约而同 地计划在今后1~2年内大批量生产高速 光通信和高频无线通用的InP器件和电 路. InP器件的低噪声,功率应用 InPHFET,HBT的性能优势 InP基异质结器件技术对毫米波系 统应用是最佳选择.图1比较了几种场效 应器件的高频工作性能.在同样的栅长 条件下,InP器件具有更优异的高频特 性,这为器件在低噪声,功率应用提供了 前提. 低噪声应用 目前认为对于低

5、噪声放大器 (LNA)应用PHEMT是继MESFET之 后的最好选择,因为这样FET器件的源 电阻更小,电源增益截止频率更高,正如 图1所示.从电路设计观点考虑,FET只 有处于适当的偏置条件下(~Idss/10) 才能获得最小噪声系数.而通常情况下 放大器设计在最小噪声系数的偏置条件 和最高增益的偏置条件是不相吻合的, 但异质结场效应器件的最佳噪声系数可 以偏置在较宽的范围内,因而较容易实 现噪声和增益二者兼顾的LNA电路设 计. ImP基HEMT具有最好的噪声性能, 而且对于与InP基光电器件相匹配的 40Gbit以上的光电通信系统来说InP基

6、异质器件也是最好的选择.图2为几种主 图1几种FET的高频性能图2GaAs.InP,HEMT的噪声性能 In汀T一一…一一 要的低噪声异质结器件的性能 比较.显然InP基HEMT在毫 米频率应用具有很大的性能优 势. HBT具有较小的低频噪 声.用InPHBT设计制作的振 荡器~gGaAsHBT振荡器的相 位噪声更低. 功率应用 功率放大器(P)的主要性 能指标包括输出功率(),三 阶交调(IMD),功率附加效率 ECN/2003.1161 应用天地 (PAE).虽然MESFET是最为成熟的技 术,但对于特别高的频率下工作来说,它 未必是最好的选择

7、.因为工作频率越高, 意味着要求栅长更小,沟道厚度更薄,并 且为了保证电流特性要求有高掺杂,这 样必然使器件的击穿和功率性能随之下 降.图3比较了几种HEMT,MESFET, HBT的功率性能. 显然异质结器件具有较好的功率性 能.由于InP基HEMT的异质结导带偏 移△Ec大,导电沟道的薄层电子浓度高, 大大改善了器件的电流处理能力.同时 InP材料热导率较高,同样功耗下结温更 低.采用双凹槽和非对称沟槽,复合沟道 技术,提高了器件击穿特性.因此在毫米 波频段功率应用中,InP基HEMT占有 特殊的地位. InPHBT具有良好的线性,高功率 附加效

8、率.HBT是纵向器件可在高功率 密度下工作,InPHBT的功率密度比 InPFET高5~l0倍,因而其器件及电 路芯片的尺寸可以更小,从 而可降低生产成本.试验表 明,InPHBT功率放大器 MMIC的功率密度比GaAs HBT要高2~3倍,所以在未 来的功率MMIC技术中InP HBT潜在价格优势. InPMMIC技术 在军用和民用领域,除 了微波频段外,通信和雷达 系统向更高频率扩展和某些图3HEMT,MESFET,HBT的功率性能 特殊应用选择更高的频率范围.InP基 HFET,HBT的介入有望使系统在保持 高性能的同时减小体积.InP异质器件

9、技 术除应用于雷达,保密通信,导弹寻的等 军用系统外,更广阔的领域是包括交通 电子,毫米波成像,毫米波数字射

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