inp基器件金属接触研究

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1、心Ｌ；学校代码：１０２８５＇学号：２０］３４２２８００４斬－＇．。ＳＯＯＣＨＯＷＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ蠢ｎｒ．Ｈ＿．■＇；＂；甘ｌｅｖｉｓ；苦－；ＩｎＰ基器件金属接触硏究．－？－—；：Ｖ＊护、Ｊ！．■Ｉ．．Ｉ．．．，．＇ｌ一一＿．．？Ｉ、＿．＇－－＇：；ｖＳｔｕｄｙｏｎＩｎＰｂａｓｅｄｄｅｖｉｃｅａｎｄｍｅｔａｌｃｏｎｔａｃｔ＇—－Ｖ．：．率．－车；一ｙ，．．．）．．＞＊．Ｉ■■－，位Ｉ案

2、硏究生姓名王青松Ｉ指导教师姓名陈俊Ｉ专业名称电子科学与技术Ｉ研究方向半导体器件所在院部电子信息学院论文提交日期２０１６年６月，苏州大擎学位论文独姻性声明■？本人郑重声明：巧提交的学位论文是本人在导师的指导下，独立进巧研究工作所取得的成果。腾文中邑经注明引用的内容外，本论文不含其他个人或集体已经发表或撰写妊的研究成果，也不含为获得苏州大学或其它教育机构的学位证书而使用过的材料。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均己在文中明确方式祿明。本人承担本声明的法律责任Ｃ论文

3、作者签名：弓日期；苏州大学学位论文使用授权声明本人完全了解苏州大学关于收集、保存和使用学位论文的规定，禪；学位论文著作极归属苏巧大学。本学位论文电予文措的内容巧纸质论文的内容相一致。苏州大学有极向国家團书馆、中国社科繞文献信息情报中也、中国科学技术信息研究所（含万方数据电子出版社）、中国学术斯刊（光盘版）电予杂志社送交本学位论文的复印俾和电子文楼，义许论文被査阅和借阅，可Ｗ采用影印、缩印或其他复制手段保存和汇编学位论文，可将学位论文的全都或部分内容编入有关数据库进巧检索。渉密论文〇本学位论文属在年＿＿月解

4、密后适用本规定。非渉密论文＾论文作者签名：祷抑日期；如；，导师签名；心日期：如，备＇夺－巧’，InP基器件金属接触研究中文摘要InP基器件金属接触研究中文摘要本文主要对InP基相关器件和工艺尤其是InP基金半接触，InP/InGaAs红外探测器，以及其中的钝化工艺做了较为深入的研究。首先系统研究了TiW/p-InP肖特基接触的电学性质，比较了在不同的退火条件下，表面形貌以及电学参数的变化。用热发射模型从I-V曲线提取了势垒高度，以及理想因子，发现它们随温度呈现线性变化的规律。这一现象可以用金属-半导体(M-S)表面接触的非均匀

5、模型来解释。势垒高度随温度的变化符合高斯分布。然后又测量了器件的C-V特性随温度变化的特性，且比较了不同频率下从C-V特性中提取的势垒高度。对比I-V方法，此法排除了界面态的影响。然后研究了TiW/p-InP肖特基接触的C-V特性，发现了反常负电容现象，这是由界面态和串联电阻(Rs)的影响所导致的。同时计算了Rs的值并且用它对测量到的电容(C)和电导(G)的值做了修正。接下来针对ICPCVD和PECVD工艺对InP表面的钝化效果做了讨论。对不同工艺生长的SiNx作为介电层的Au/SiNx/p-InP肖特基势垒二极管的电学特性进行了研究，与PECVD

6、工艺生长介电层的器件相比，发现ICPCVD工艺生长介电层的器件的理想因子值更小一些，势垒高度更低一些。同时比较了两种工艺条件下的界面态密度，发现ICPCVD工艺的界面态比PECVD工艺更低一些。最后研究了InGaAs/InP探测器的暗电流特性和光电流特性，首先用软件对器件的结构参数进行设计，仿真了暗电流和光电流特性，然后根据仿真结果制备了器件，同时测量了器件的特性，并对实验值和仿真值进行了比较，发现实验值和仿真值符合的很好，证明了仿真的正确性。实验结果表明该器件具有较高的响应度，并对器件的暗电流组分进行了分析。关键词:磷化铟、金半接触、红外探测器、

7、钝化工艺作者：王青松指导教师：陈俊IAbstractStudyonInP-baseddeviceandmetalcontactStudyonInP-baseddeviceandmetalcontactAbstractInPbaseddeviceandtechnologysuchasInPbasedmetal-semiconductorconatct,InP/InGaAsphotodectectorandpassivationtechnologyarestudiedinthispaper.TheelectricalcharacteristicsofT

8、iW/p-InPSchottkybarrierdiodeatdifferentannealingconditionsare