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《升级冶金级si衬底上ecr-pecvd沉积多晶si薄膜》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、技术专栏TechnologyColumn升级冶金级Si衬底上ECRPECVD沉积多晶Si薄膜1a,c1a,c1b,c1a,c1a,c1a,c,2崔洪涛,吴爱民,秦福文,谭毅,闻立时,姜辛(1大连理工大学,a材料科学与工程学院;b物理与光电工程学院;c三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116024;2锡根大学材料工程研究所,德国锡根57076)摘要:成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECRPECVD)法在升级冶金级Si衬底上175低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质
2、量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征。发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,016Pa对应105,而04Pa对应1068。关键词:硅衬底;电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积;多晶硅薄膜中图分类号:TN304055文献标识码:A文章编号:1003353X(2008)02011704PreparationofPolySiFilmonUpgradedMetallurgicalSiSubstratebyECRPECVD1a,c
3、1a,c1b,c1a,c1a,c1a,c,2CuiHongtao,WuAimin,QinFuwen,TanYi,WenLishi,JiangXin(1DalianUniversityofTechnology,a.SchoolofMaterialsScience&Engineering;b.SchoolofPhysics&OptoelectronicTechnology;c.StateKeyLab.ofMaterialsModificationofThreeBeams,Dalian116024,China;2.InstituteofM
4、aterialsEngineering,SiegenUniversity,Siegen57076,Germany)Abstract:AlayerofexcellentpolySifilmwassuccessfullydepositedonupgradedmetallurgicalSisubstrateat175byECRPECVD.Effectsofthepressureandtheflowratio(Fr)betweenhydrogenandsilane(dilutedby95%Ar)onthequalityofthefilm
5、wereinvestigated.Thecrystallity,thegrainsizeandthecrystalstructurewerecharacterizedbyRaman,RHEED,SEMandXRD.Resultsshowthatataconstantpressure,first,thecrystalqualitybecomesbetterwiththeFrincreases,andthenoveracriticalvalueitturnsworse.AbestFrexistsatcertainvaluesofpress
6、ure,whichis105at016Pa,and1068at04Pa.Keywords:Sisubstrate;ECRPECVD;polySifilmEEACC:2550B仅需一步Si外延,其余工艺路线可与现在大部分工0引言[34]业生产电池的设备技术兼容,有利于降低成本。2004年,欧盟5个晶体Si薄膜研究开发项目组Si带、冶金级Si、UMGSi(upgradedmetallurgicalgrade[23]提出了一项规划,认为!外延基片等价物∀是最接silicon),电子工业废料等均可作为基片。[57]近于工业
7、实际的晶体Si薄膜技术路线,代表最简单国外研究者已经在单晶Si及高质量多晶Si的晶体Si薄膜太阳电池方法,即外延沉积Si层到低衬底(籽晶层)上用ECRPECVD作了初步尝试,然成本Si片上[1]。由于其电池结构与传统体Si电池类而迄今为止,未有在低成本Si上用ECRPECVD方[2]法外延沉积Si层的相关报道。国内[89]也曾有过在似,而体Si电池占据市场95%,因而该技术路线颗粒Si带上用射频PECVD沉积薄膜的尝试,认为颗基金项目:教育部留学回国人员科研启动基金粒Si带用PECVD不易结晶,PECVD不适合沉积多(20061
8、1AA03);辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基晶Si薄膜。本文通过改变气压和流量比初步探索了金资助项目(2005100A05)用ECRPECVD方法在低品级Si上外延沉积高质量February2008Semicon
