大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征

大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征

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时间:2019-05-19

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1、摘要摘要多晶Si薄膜太阳电池研究引起了人们的广泛关注,而采用大晶粒多晶Si薄膜是提高其能量转换效率的一条可行途径。本工作采用低压化学气相沉积(LPCVD)和高频感应加热化学气相沉积(HFCvD)工艺,在Si02表面上成功地制备了大晶粒多晶Si薄膜。利用Q台阶仪和扫描电子显微镜(sEM)研究了衬底温度、反应气体压强和硅烷(SiH4)浓度等工艺参数对大晶粒多晶Si薄膜的生长速率和晶粒尺寸的影响,获得了制备最大晶粒薄膜的典型实验条件,其晶粒平均尺寸为1.2~2pnl。对薄膜进行了后扩散掺杂,并实验研究了掺杂时间、掺杂温度和退火温度对

2、薄膜方块电阻的影响。实验证实,退火温度对于提高薄膜的电学特性至关重要。当退火温度为900℃时,薄膜的方块电阻值为12l纠口;而当退火温度升高到1100℃时,薄膜的方块电阻下降到38剑口,这是因为在较高的温度下有更多的杂质原子被激活的缘故。关键词太阳电池;多晶Si薄膜;大晶粒;LPCvD;HFCVD;结构特征;电学特性AbstractAbs‰tThepolyc删limsilicon0抑ly-Si)tll“filmsolarcellsarebeclDⅡ曲gaVe哆a砸verese疵harea’andtheuseofpoly哪,st

3、allineSifillIlswi也largegrai璐c姐eIll】【aIl∞饥锄黟conVersione衔ci饥cyof廿lesol盯cells.hl吐liswc咄laIge踟lillpolycryStallinesilicont11in丘1mshaVebeend印ositodonSi02如bstratebylowpr鹤sI】【∞c_h锄icalph弱ed印osition(LPCVD)andhi曲矗跚ueIlcyinduction.h铋tedCh锄icalphased印osition(HFCVD).nlee仃.ectof吐

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6、d.Attlleallnealingt锄peraturcof1100℃,sheetresistallceis38剑口,tllisisduetothemo他im州t),areactiVedathighert锄per蛐.Keywords:solarcells;polya呷tallineSi丘hIls;largesized彤lill;LPCVD;HFCVD;蛐mcturalcharacterizatioIl’eI洲calpropertyⅡ河北大学学位论文独创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行的研究工作及取得

7、的研究成果。尽我所知,.除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写的研究成果,也不包含为获得河北大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了致谢。作者签名:.旌:萱日期:至堕年』月上日学位论文使用授权声明本人完全了解河北大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。学校可以公布论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本学位论文属于

8、l、保密口,在年月——日解密后适用本授权声明。2、不保密∥。(请在以上相应方格内打“.,")保护知识产权声明本人为申请河北大学学位所提交的题目为娟耘锄务薄幔虢皂丰钓f姆铭继的学位论文,是我个人在导师(.专疆才)指导并与导师合作下取得的研究成果,研究工作及取得的研究成果是在河北

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