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时间:2020-03-26
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1、物理化学学~E(WuliHuaxueXuebaoDecemberActaP.一im.Sin.2011,27(12),2953-29592953[Article]doi:10.3866/PKU.WHXB20112953www.whxb.pku.edu.cn具有SiC缓冲层的Si衬底上直接沉积碳原子生长石墨烯唐军康朝阳李利民’徐彭寿(中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029;合肥彩虹蓝光有限公司,合肥230011)摘要:石墨烯是近年发现的一种新型多功能材料.在合适的衬底上制备石墨烯成为目
2、前材料制各的一大挑战.本文利用分子束外延(MBE)设备,在Si衬底上生长高质量的SiC缓冲层,然后利用直接沉积C原子的方法生长石墨烯,并通过反射式高能电子衍射(RHEED)、拉曼(Raman)光谱和近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等实验技术对不同衬底温度(800、900、1000、1100。C)生长的薄膜进行结构表征.实验结果表明,在以上衬底温度下都能生长出具有乱层堆垛结构的石墨烯薄膜.当衬底温度升高时,碳原子的活性增强,其成键的能力也增大,从而使形成的石墨烯结晶质量提高.衬底温度为10
3、00。C时结晶质量最好.其原因可能是当衬底温度较低时,碳原子活性太低不足以形成有序的六方C.Sp环.但过高的衬底温度会使SiC缓冲层的孔洞缺陷增加,衬底的Si原子有可能获得足够的能量穿过SiC薄膜的孔洞扩散到衬底表面,与沉积的碳原子反应生成无序的SiC,这一方面会减弱石墨烯的生长,另~方面也会使石墨烯的结晶质量变差.关键词:石墨烯:分子束外延:Si衬底:碳化硅:同步辐射中图分类号:O641;0472;059;0782DirectGrapheneGrowthbyDepositingCarbonAt
4、omsonSiSubstrateCoveredbySiCBuferLayersTANGJun’,KANGChao-YangLILi—MinXUPeng—Shou,rNationalSynchrotronRadiationLaboratory,UniversityofScienceandTechnologyofChina,Hefei23002~R.China;2HefeiIRICOEpilightTechnologyCo.,Ltd.,Hefei230011,PR.China)Abstract:Gr
5、apheneiSanewlydiscoveredmaterialwithmanyfunctions.ThepreparationofgrapheneonsuitablesubstratesiSachallengeinthematerialpreparationfield.Inthispaper.graphenethin矧msweregrownonSisubstratescoveredwithSiCbuferIayers(SiC/Si)bythedirectdepositionofcarbonat
6、omsusingmolecularbeamepitaxy(MBE)equipment.Thestructuralpropertiesofthesamplesproducedatdiferentsubstratetemperatures(800,900,1000,1100。C)wereinvestigatedbyreflectionhighenergyelectrondiffraction(RHEED),Ramanspectroscopyandnear-edgeX—rayabsorptionfin
7、estructurefNEXAFS).Theresultsindicatethatthethinf¨msgrownatalIlemperaturesexhibitthecharaclerislics0fgraphenewithaturbostraticstackingstructure.Asthesubstratetemperatureincreasesthecrystallinequalityofthegrapheneimproves.However,averyhightemperatured
8、ecreasesthequalityofgraphene.ThebestgraphenefilmswereobtainedaIasubstratetemperatureof1000。C.ThisiSduetolhelOWsubstratetemperatureresultingjnatoolOWcarbonatomactivityfortheformationofanorderedsix.memberringofC-sp.Whenthesubstratetemperaturewastoohigh
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