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时间:2019-03-17
《石墨衬底上制备sic薄膜的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、分类号:TM23密级:公开论文编号:201601031313贵州大学2016届硕士研究生学位论文石墨衬底上制备SiC薄膜的研究学科专业:微电子学与固体电子学研究方向:新型固体电子材料与器件导师:谢泉教授研究生:艾学正中国﹒贵州﹒贵阳2016年5月I贵州大学硕士毕业论文目录目录...............................................................................................................................
2、.............................I摘要............................................................................................................................................................1Abstract....................................................................
3、..................................................................................2第一章绪论..............................................................................................................................................31.1SiC材料的结构与性质....................
4、...........................................................................................31.1.1SiC材料的结构................................................................................................................31.1.2SiC材料物理和化学的性质.............................
5、...............................................................41.1.3SiC材料的光电性质........................................................................................................51.2SiC材料的应用与发展...................................................................
6、............................................61.3SiC材料制备的国内外研究现状...............................................................................................71.3.1化学汽相沉积...............................................................................................
7、....................71.3.2物理汽相沉积.................................................................................................................101.4本论文的主要研究工作.........................................................................................................
8、...121.5本章小结....................................................................................................................................1
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