sic薄膜的制备及性能研究

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1、SiC薄膜的制备及性能研究指导老师:学生姓名:专业班级:材料工程摘要碳化硅被誉为下一代半导体材料,因为其具有众多优异的物理化学特性,被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。本文阐述了SiC研究进展及应用前景,从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能。SiC有高的硬度与热稳定性,稳定的结构,大的禁带宽度,高的热导率,优异的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法:物理气相沉积法和化学气相沉积法,以及SiC薄膜表征手段。包括X射线衍射谱、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等。最后讲了SiC的光学性能和电

2、学性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。关键词:SiC,溅射,掺杂,性能研究第32页共32页StudyOnTheSynthesisAndPropertiesOfSiCFilmClass:MaterialEngineeringName:HengyiWangInstructor:YuxiangLiAbstractSiliconcarbideisknownasnext-generationsemiconductormaterials,becauseithasmanyexcellentphysicalandchemicalcharacteristics,wide

3、lyappliedlightelectricparts,highfrequencypower,hightemperatureelectronicdevices.Thispaperexpoundstheresearchprogressandapplicationprospectsoffoundation,fromopticalproperties,electricalproperties,thermalstability,chemicalproperties,hardnessandabrasionresistance,dopingthingsixaspects

4、introducestheperformanceofSiC.SiChashighhardnessandthermalstability,stablestructure,largeforbiddenbandwidth,highthermalconductivity,excellentelectricalproperties.MeanwhileintroducesthepreparationmethodsofSiC:thephysicalvapordepositionandchemicalvapordeposition,andSiCfilmcharacteriz

5、ationmethods.IncludingX-raydiffractionspectrum,Fourier第32页共32页infraredspectra,Ramanspectra,X-rayphotoelectronspectroscopy(XPS).FinallyspokeSiCopticalperformanceandelectricalpropertiesandjoinedSiCfilmopticalpropertiesresearchprogress.Keywords:SiC,Spurting,Mingle,Performancestudy第32页

6、共32页目录1绪论…………………………………………………………………51.1引言……………………………………………………………51.2SiC材料的研究进展…………………………………………61.3SiC的晶体结构、特性及应用前景…………………………71.3.1SiC的晶体结构………………………………………71.3.2SiC的物理和化学性质………………………………91.3.3SiC的应用前景………………………………………111.4SiC的掺杂……………………………………………………122SiC薄膜的制备方法………………………………………………142.1物理气象沉

7、积法……………………………………………142.1.1溅射…………………………………………………142.1.2分子束外延…………………………………………162.1.3离子注入合成法……………………………………172.2化学气象沉积法……………………………………………172.2.1低压化学气相沉积…………………………………172.2.2热灯丝化学气相沉积法……………………………182.2.3等离子增强化学气相沉积…………………………18第32页共32页3SiC薄膜的表征方法………………………………………………213.1X射线衍射谱…………………………………………

8、……213.2傅里叶红外光谱………………………………

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