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1、-SiC薄膜的制备及性能研究指导老师：学生姓名：专业班级：材料工程摘要碳化硅被誉为下一代半导体材料，因为其具有众多优异的物理化学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件。本文阐述了SiC研究进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能。SiC有高的硬度与热稳定性,稳定的结构,大的禁带宽度,高的热导率,优异的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法：物理气相沉积法和化学气相沉积法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射线衍射谱、傅里叶红外光谱、拉曼光谱、X射
2、线光电子能谱等。最后讲了SiC的光学性能和电学性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。关键词：SiC，溅射，掺杂，性能研究.---StudyOnTheSynthesisAndPropertiesOfSiCFilmClass:MaterialEngineeringName:HengyiWangInstructor:YuxiangLiAbstractSiliconcarbideisknownasnext-generationsemiconductormaterials,becauseithasmanyexcellent
3、physicalandchemicalcharacteristics,widelyappliedlightelectricparts,highfrequencypower,hightemperatureelectronicdevices.Thispaperexpoundstheresearchprogressandapplicationprospectsoffoundation,fromopticalproperties,electricalproperties,thermalstability,chemicalpr
4、operties,hardnessandabrasionresistance,dopingthingsixaspectsintroducestheperformanceofSiC.SiChashighhardnessandthermalstability,stablestructure,largeforbiddenbandwidth,highthermalconductivity,excellentelectricalproperties.Meanwhileintroducesthepreparationmethod
5、sofSiC:thephysicalvapordepositionandchemicalvapordeposition,andSiCfilmcharacterizationmethods.IncludingX-raydiffractionspectrum,Fourier.---infraredspectra,Ramanspectra,X-rayphotoelectronspectroscopy(XPS).FinallyspokeSiCopticalperformanceandelectricalpropertiesa
6、ndjoinedSiCfilmopticalpropertiesresearchprogress.Keywords:SiC,Spurting,Mingle,Performancestudy.---目录1绪论…………………………………………………………………51.1引言……………………………………………………………51.2SiC材料的研究进展…………………………………………61.3SiC的晶体结构、特性及应用前景…………………………71.3.1SiC的晶体结构………………………………………71.3.2SiC的物理和化学
7、性质………………………………91.3.3SiC的应用前景………………………………………111.4SiC的掺杂……………………………………………………122SiC薄膜的制备方法………………………………………………142.1物理气象沉积法……………………………………………142.1.1溅射…………………………………………………142.1.2分子束外延…………………………………………162.1.3离子注入合成法……………………………………172.2化学气象沉积法……………………………………………172.2.1低压化学气相沉
8、积…………………………………172.2.2热灯丝化学气相沉积法……………………………182.2.3等离子增强化学气相沉积…………………………18.---3SiC薄膜的表征方法………………………………………………213.1X射线衍射谱………………………………………………213.2傅里叶红外光谱……………………………………………223.3拉曼光谱…
