si110衬底上镍硅化物形成分析

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1、w1thdi士’ferentorient己tionsa士.tertwo一stepannealing，wefindoutthat，whenannealing七heNi/51stroleturesamples，thegrowthofNisilieide15〔liffusion一eontrolled，andNi15thedominantdiffusingspeeies(DDS)forbothNiZSiandNISiformation.WhenNiand51forlnNiZSi，DDSNimustpenetrateintothe51la七七ieethrough，however，inthiseo

2、:lrse，Niatomd1ffusesthroughdifferentintersticesondifferentsurfaees:theinterstieeon51(100)15likeasquare，whiletheone。n51(一10)likeahexagon.Theinterstitialareasarealsodifferent。O匕viously，it15easierforNiatorntopassthroughlargerintersticet卜ansmallerone.50，N1hasahigherdiffusioneoeffieienton51(110)thano

3、nsi(100)，whiehrestlltSinalargerNiZSifor51(110)sample.WhenNiZSi15transformedtoNISi，stillas七heDDS，NiatomshoulddiffusethroughNiZSitoreaehthe51andtoformNISi.工tCanbebelievedthat51(110)has0highersurfaeethan51(100)does，whieh15themainfaetorofSBHdifferenee.the工一VeharaeterofNifilmon51(110)substratebeeomes

4、worsethanthatofNifilmon51(100)substrate.Keywords:NISi，5111e1de，51(110)，SehottkybarrierClassificationCode:TN3O4第一章绪论摘要:本章内容涉及(l)硅化物工艺发展历史;(2)几种常用硅化物特性介绍;(3)NISi工艺介绍;(4)51(110)衬底介绍及本论文研究内容。1.1引言自从1958年第一块集成电路问世，微电子技术使得越来越复杂的电子系统可以集成在一小块硅片上，使电子设备和系统的微型化、低能耗成为可能。集成电路从中小规模集成电路逐步发展到大规模集成电路，超大规模集成电路，并实

5、现了平均每18个月集成电路芯片上集成的电子器件数翻一番，而价格却保持不变甚至下降，这就带动了以集成电路为基础的信息技术迅速发展，创造了信息技术产品性能不断提高，而价格不断下降的奇迹。IC的发展历史大致可以分为六个阶段，分别是:1962年制造出包含12个晶体管的小规模集成电路551(Small一ScaleIntegration):1966年发展到集成度为100一1000个晶体管的中规模集成电路MSI(Medium一ScaleIntegration);1967一1973年，研制出1000个至10万个晶体管的大规模集成电路LSI(Large一SealeIntegration);1977年研制

6、出在30平方毫米的硅晶片上集成巧万个晶体管的超大规模集成电路一vLsl(veryLarge一ScaleIntegration)，这是电子技术的第四次重大突破，从此真正迈入了微电子时代;1993年随着集成了1000万个晶体管的16MFLASH和256MDRAM的研制成功，进入了特大规模集成电路ULSI(UltraLarge一ScaleIntegration)时代;1994年随着集成了1亿个元件的IGDRAM的研制成功，进入了巨大规模集成电路GSI(Giga一ScaleIntegration)时代。如今，人类已经进入了社会高度信息化的世纪。计算机网络和通信技术的进步是信息化发展的标志。今天

7、，无论何时何地，人们都可以相互交换信息，使区域性很强的政治、经济、文化等国际化。但是，如果没有以晶体管为基础的微电子学的发展就谈不上个人计算机的高性能和多功能，也就不可能有现代信息技术。以半导体材料与器件为核心的半导休产业经过了五十多年的发展，到今天已经极大地改变了人类的生产与生活方式，并成为人类文明发展水平的集中体现。集成电路按器件的工作原理可分为双极型(BIPolar)集成电路和金属一氧化物一半导体(MOS)集成电路。现在，属于MOS集成电