硅烷偶联剂修饰的slnps作为基因转移载体的.研究

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1、中英文缩略词表SLNPSS．ilieananoparticles．⋯N-(2-aminoethyl)一3一·AEAPSaminopropyltrimethoxysilaneGPTS3-glycidoxypropyltrimethoxysilaueGFPGreenfluorescenceproteinL姒longhomologousalTUSHAshorthomologousarmRTroomtemperature．PBSPhosphateBufferedSalineK+Kanamycin硭Ampicillin⋯⋯Dulbec

2、co’SModifiedEagle’SDM匣MMediumDMSOdimethylsulfoxideLPAlyoprotectiveagentsHSVherpessimplexvirusFBSfetalbovinescramhhourrainminuterpmrevolutionsperminuteV二氧化硅纳米颗粒N-(t3．氨乙基)一Y．氨丙基三乙氧基硅烷缩水甘油醚基丙基三甲基硅烷绿色荧光蛋白长同源臂短同源臂室温磷酸盐缓冲液卡那霉素氨苄青霉素达尔伯克(氏)改良伊格尔(氏)培养基’二甲亚砜冷冻干燥保护剂单纯疱疹病毒胎牛血清

3、小时分钟转／每分钟原创性声明本人声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了论文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得中南大学或其他单位的学位或证书而使用过的材料。与我共同工作的同志对本研究所作的贡献均已在论文中作了明确的说明。作者签名：学位论文版权使用授权书本入了解中南大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留学位论文并根据国家或湖南省有关部门规定送交学位论文，允许学位论文被查阅和借阅；学校可以公布学位论文的全部或部分内容

4、，可以采用复印、缩印或其它手段保存学位论文。同时授权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到《中国学位论文全文数据库》，并通过网络向社会公众提供信息服务。作者签名：导师签名——日期：——年一月一日硕士学位论文日Ⅱ吾．．1‘·—JL刚舌基因治疗是治疗学的巨大进步。外源DNA由载体介导进入目的细胞后，可修复遗传错误或产生治疗因子(如多肽、蛋白质、抗原等)，从而达到治疗疾病的目的l川。1990年美国的Blaesetjj成功地进行了世界上首例临床基因治疗，即腺苷脱氨酶(adenosinedeaminase，ADA)缺陷病的人体基因治

5、疗。近年来，基因治疗的研究对象已由原来的遗传病扩展到肿瘤14j、传染病和心血管1)1等疾病，而且研究的重点已转移到肿瘤基因治疗方面旧J。另外基因治疗方法还可以用于遗传免疫方面¨1，预防病毒性疾病和肿瘤。在这一领域的研究已取得了重要进展。不言而喻，基因治疗作为一种全新的疾病治疗手段，将在一定程度上改变人类疾病治疗的历史进程。在基因治疗和基因转染研究中，寻找一种安全、高效的基因导入载体，仍是目前面临的主要困难。目前，研究和应用较广泛的载体主要有病毒载体，脂质体载体，人工重组载体等，它们各自存在优缺点(见表1)№j。目前基因治疗临

6、床前试验中75％利用病毒载体例，然而病毒载体虽然高效，但是免疫反应及其安全性问题阻碍了其规模性的临床应用。特别是近几年病毒载体在临床试验中所导致的患难事件发生以后¨uJ，人们力图在非病毒载体的研究与应用中取得突破。表I不同载体类型问的比较碱lBlief删锄af删岫嘴of簿雠唧淄赫自纳米技术产生以后，用纳米颗粒，包括纳米胶束、纳米脂质体作为非病毒基因转移载体，已引起医学界广泛重视。由于纳米粒大小与病毒相仿，具有表面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等特性Ll¨，使纳米颗粒作为基因载体成为可能，其原理是载体将DNA，RNA、PN

7、A(肽核苷酸)，dsRNA(双链)等基因治疗分子包裹其中或由静电相互吸引或吸附其表面形成复合物，在细胞摄粒作用下，纳米颗粒进入细胞内，释放基因治疗分子，发挥其治疗效能¨厶"1(图1)。目前，众多科研人员利用纳米颗粒载体己成功地将DNA转移到不同的细胞，如肝细胞【141、肠细胞【151、肿瘤细胞【161、有丝分裂期的细胞等【171。硕士学位论文前言、‘“、一o．．一卜一。。f◇、矛／．隅冬飞图1：纳米颗粒介导外豫D眦穿过细胞膜的过程示意图无机纳米材料如二氧化硅，氧化铁，金等颗粒，作为新型的非病毒载体，由于具有易合成、生物亲和性

8、高、毒性小、稳定性好等优点LI引，已经越来越受到人们的重视。而二氧化硅是一种惰性材料，生物相容性好，表面易于修饰，且在体内几乎无毒，因此被普遍看好【I圳。Kneuer等II训将商业化的二氧化硅纳米颗粒用带氨基的硅烷偶联剂修饰后，发现由于表面氨基的存在使修饰后颗粒的zeta电位带上7-31m