不同原料配比对tic晶须合成的影响研究毕业论文

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1、•1^65-四川理工学院毕业论文不同原料配比对TiC晶须合成的影响研究学生：学号：11031020128专业：材料化学班级：材化101指导老师：四川理工学院材料与化学工程学院二o—五年六月摘要TiC晶须具有晶体结构缺陷小、硬度高、抗弯强度高、熔点高、热稳定性好等优点，常作为金属基复合材料的增强颗粒。本文利用偏钛酸、葡萄糖为前驱体，氯化银为催化剂，氯化钠为卤化剂，高温碳热还原制备了超细TiC晶须。采用SEM.XRD检测手段表征TiC晶须的相组成以及显微形貌，探讨了不同卤化剂、催化剂及其添加量对晶须合成的影响

2、。实验结果表明：利用“前驱体+气氛碳热还原”技术在1300°C下，能成功的合成超细TiC晶须，直径在lOOnm〜200nm间。催化剂NiCb的添加量过少生成的TiC晶须晶粒粗大、形状不规则，产量低；而过多则会形成大量的颗粒；当添加量为TiO2S的40%,晶须品质最好。与其它卤化剂相比，使用低成本NaCl能获得较好品质的TiC晶须。卤化剂NaCl的添加量过少会使晶须晶粒粗大，长径比变小，表而粗糙；而添加量过多则会影响晶须的生长方向，产生絮状物；当添加量为TiCh的80%,得到了品质较好的晶须。关键词：TiC

3、晶须；前驱体法；碳热还原；原料配比ABSTRACTTiCwhiskerhasmanyadvantagessuchassmallcrystalstructuredefects,highhardness,highbendingstrength,highmeltingpointandgoodthermalstability,anditisoftenusedasparticle-reinforcementformetalmatrixcomposite.Inthispaper,thesuperfineTiCwhis

4、kersweresynthesizedbymctatitanicacidandglucoseasprecursors,NiChandNaClascatalystandhalogenatingagentunderhightemperature,andwerecharacterizedbySEMandXRD・TheinfluencesofhalogenatingagentsandcatalysttoTiCwhiskerswereinvestigated.TheresultsshowthattheTiCwhis

5、kerwassuccessfullyobtainedusingthetechniqueofprecursorandcarbonthermalreductionatmosphereat1300°C,andthediameterofwhiskeris100-200nm.WithoutenoughNiChascatalyst,TiCwhiskerwillbethick,out-of-shapcandtheoutputislow.Whiletoomuchcatalystwillleadtoformalargenu

6、mberofparticles・WhenNiChis40%oftheamountofTiC>2,thequalityofTiCwhiskeristhebest.Comparedwiththeotherhalogenatingagents,NaClislowcost,withcanbringgoodqualityTiCwhiskc匚WithoutenoughNaCl,thewhiskerwilllowratiooflengthtodiameterwithroughsurface.Whiletoomucham

7、ountofNaClwillinfluencethegrowthdirectionofwhisker,andtheflocculcwillcomeintobeing・WhenNaClis80%oftheamountofTiC)2,thequalityofTiCwhiskeristhebest.Keywords:TiCwhiskers,Precursormethod,Carbothcrmalreduction,Materialblendingration目录摘要IAbstract11第一章绪论11.1问题的

8、提出与研究的意义11.2TiC晶须的国内外研究现状2121碳热还原法21.2.2化学气相沉积法31.2.3原位合成法41.2.4溶胶凝胶法41.2.5其他方法51.3TiC晶须的应用51.3.1增强金属材料51.3.2增强陶瓷材料51.4研究目的与内容6第二章实验部分82.1实验设备及药品82」.1实验药品82.1.2实验设备82.2实验步骤9221前驱体粉末的制备92.2.2碳热还原112.3TiC晶须的表征方法112.3.