电子科技大学版图提取实验报告

《电子科技大学版图提取实验报告》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划电子科技大学版图提取实验报告　　微电子与集成电路设计　　实验报告　　使用L-Edit编辑单元电路布局图　　一、实验学时：4学时二、实验目的　　1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境；2、掌握L-Edit的使用技巧。　　三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice文件。四、实验结果：　　1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用

2、的是文件的。　　2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。　　先确定W。W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位?4，则先加10后再乘以2。所以，要绘制的是一个L=2u，W=的PMOS管掩膜版图。　　所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：　　该PMOS管的截面图为：　　3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。　　所完成的经DRC检查无错误的NMOS版图为：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全

3、感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　该NMOS管的截面图为：　　4、运用前面绘制好的nmos组件与pmos组件绘制反相器inv的版图。加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。所完成的DRC检查无错误的版图为：　　电子科技大学　　实验报告　　学生姓名:连亚涛/王俊颖学号：XX/0007指导教师：王向展实验地点：211楼606实验时间：　　一、实验室名称：微电子技术实验室　　二、实验项目名称：集成电路版图识别与提取　　三、实验学时：

4、4　　四、实验原理：　　本实验重点放在版图识别、电路拓扑提取、电路功能分析三大模块，实验流程如下：　　五、实验目的：　　了解对塑封、陶瓷封装等不同封装形式的芯片解剖的方法及注意事项。　　学习并掌握集成电路版图的图形识别、电路拓扑结构提取。　　能对提取得到的电路进行功能分析、确定，并可运用PSPICE等ICCAD工具　　展开模拟仿真。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，

5、特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　六、实验内容：　　1、在芯片上找出划线槽、分布在芯片边缘的压焊点、对位标记和CDBar并测出有关的图形尺寸和间距。仔细观察芯片图形总体的布局布线，找出电源线、　　地线、输入端、输出端及其对应的压焊点。　　2、判定此IC采用P阱还是N阱工艺；进行版图中元器件的辨认，要求分出MOS管、多晶硅电阻和MOS电容。　　3、根据以上的判别依据，提取芯片上图形表示的电路连接拓扑结构；复查，加以修正。　　七、实验器材：　　微机1台　　待提取电路图版图图片1张　　八、实验步骤：　　1、

6、在芯片内查找出对位标记和CDBar。发现在芯片右上角有一块区域为对位标记和CD条，由对位标记可知，该电路共有13块掩模版，每次对位均以第一块版P阱版为准，避免了以往采用的后一次以上一次为准带来的套刻误差传递的危险，套刻精度大为改善。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　2、在图中找出压焊点，先根据与压焊点相连的连线的宽

7、窄定出正、负电源线或地线，因本电路采用正负电源，判定上方左起第3个压焊点接正电源，下方第左起第1个压焊点接负电源。再根据与正、负电源线的连接情况，输入端一般都加二极管保护电路，可先查到有二极管保护电路的部分，分析与其相接的连线情况，确定芯片上方左起第1、2压焊点为两个输入端压焊点。　　3、根据在衬底和阱中的器件与正、负电源线或地线的连接情况，判定此IC采用P阱还是N阱工艺。由观测到的图形可以发现，阱及其保护环与负电源相接，判定为P阱工艺。　　4、确定本电路采用的为P阱工艺之后，进行版图中元器件的辨认。首先可以看出采用了

8、多晶硅栅，且在输入压焊点到输入管之间有一段多晶硅，但又无连线的“交叉”出现，排除了“过桥”的可能，初步判断为电阻，再根据其与二极管保护电路连接最终与输入管相接，可断定是输入端起限流作用的电阻。　　5、因已确定为P阱工艺，则阱和保护环内的器件应为NMOS管，由图形可见，两输入管共用一个源极，且源与P阱相接，但未接负电源，而是与另一个