版图寄生参数提取技术的研究

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1、Y1219434分类号TN492密级重庆邮电大学硕士学位论文论文题目版图寄生参数提取技术的研究英文题目ResearchonParasiticParameterExtractiononLayout硕士研究生王艺篮学科专业遁篮点篮息系统论文提交日期2QQZ!§论文答辩日期2QQ2：5论文评阅人』自姥翻越缒聋蠡＆孽．-趔咩—拯盟—i妇哟答辩委员会主鹿邀恁匿蜇蛰2007年4月20日重庆邮电大学工程硕士论文摘要半导体工艺水平的飞速发展使当今的集成电路进入了超深亚微米(VDSM)阶段。集成电路特征尺寸从um级到nm级的急剧缩小、工作频率从MHz到GHz的不断提高已使寄生参数成为影响VLSI电路性

2、能的主要因素之一，同时也使对寄生参数提取技术的研究变得越来越重要。寄生参数提取技术的发展十分迅速，尤其是电感电阻提取的发展，它已经成为近年来的一个研究热点。本文重点围绕这一热点，首先说明了电感提取技术的相关背景，接着介绍了现有电感电阻提取的边界元模型，评估比较了各模型的优势和缺点。同时，在此基础上提出了一种新的寄生电感电阻提取模型，并从基本理论、数值实现以及工程简化等角度，对新模型进行了详细地阐述。另外还从算法复杂度和性能分析等方面，对新旧模型进行对比，指出新模型的相对优势：该模型可以考虑三维涡流效应的提取随频率变化，它具有边界元未知变量少，并不对导体的几何形状加以限制，适用于复杂三

3、维互连结构的电感电阻提取的特点。最后，从寄生效应对版图验证的影响出发，把模型应用于电路的时序、功耗和信号完整性等方面，利用寄生参数推导出电路时延和功耗的相关估算公式。通过在此基础上的数值计算和仿真结果，得出判断电路版图正确性的准则，并与Synospsy公司的一些相关工具所得数据进行对比，证明了文中提出的寄生参数提取方法的正确性。关键词；参数提取，寄生电容，寄生电感电阻，版图验证重庆邮电大学工程硕士论文摘要AbstractWiththef．astadvancingofsemiconductordesignandmanufacturetechniques，ULSItechnologyis

4、madebyverydeepsemi·micrometer(VDSM)process．AndwiththefeaturesizescalingdownfromunltonmandtheworkfrequencyincreasingfromMHztoGHz，theparasiticparametershavebecomedominantinfluencedtheperformanceofVLSIcircuits．Theextractionofparasiticparameteralsohasbecomemoreandmoreimportant．Parameterextractionte

5、chniqueisdevelopedveryfast，especiallytheextractionofparasiticinductanceandparasiticresistance，andisthefoCUSofresearchrecently．ThisdissertationtakestheabovefolCUSintoaccount，andintroducessomethingaboutthebackground，andthenpointsouttheadvantagesandthedisadvantagesofthesemodels．Furthermore，itputsf

6、orwardanewboundaryintegralequationmodelforextractingparasiticinductanceandresistance，andexplainsthismodelindetailformbasictheory,theimplementofnumericalvalueandSOon．Italsocomparesthesemodlesfromsomeaspects．Thenewmodelhasthetraitsthatitisfrequency-dependentwiththe3-Deddycurrenteffectconsidered．I

7、talsohasfewboundaryelements，anditisapplicabletogeneralcomplex3-Dstructureswithoutmakinganyassumptionaboutthegeometryofinterconnects．Finally,accordingtotheeffectactingonlayoutverification，thismodelisapplicabledintiming，power，andSig