基于igbt寄生参数的门极驱动技术

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1、分类号：TP216单位代码：10183研究生学号：2013322080密级：公开吉林大学硕士学位论文（学术学位）基于IGBT寄生参数的门极驱动技术BasedontheparasiticparametersofIGBTgatedrivetechnology作者姓名：姜海龙专业：无线电物理研究方向：汽车电子及嵌入式系统指导教师：龚依民教授培养单位：吉林大学物理学院2016年04月基于ＩＧＢＴ寄生参数的口极驱动技术己ａｓｅｄｏｎ化ｅａｒａｓｉｔｃａｒａｍｅＧＢＴｐｉｐｔｅ巧ｏｆＩｇａｔｅｄｒｉｖｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ作者姓名：姜海龙专业名称：无线电物理指导教师；粪

2、依民教授学位类别：理学硕±答辩曰期；年＾月曰ｙ未经本论文作者的书面授权，依法收存和保管本论文书面版本、电子版本的任何单位和个人，均不得对本论文的全部或部分内容进行任何形式的复制、修改、发行、出租、改编等有碍作者著作权的商业性使用（但纯学术性使用不在此限）。否则，应承担侵权的法律责任。吉林大学博±（或硕±）学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交学位论文，是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中明确方

3、式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名；令恭扳￣曰期：＞乂年月丈曰／＾基于IGBT寄生参数的门极驱动技术摘要电动汽车是当今最热门的词汇，而电动汽车的发展也是国家十三五规划的重要项目。新能源汽车电力驱动的主体是电机控制器，大功率IGBT作为高压电机控制器的核心元件，它的发展及应用至关重要。本文从IGBT实际结构出发，详细介绍了IGBT的等效电路、IGBT的开关原理、IGBT的基本特性以及IGBT的开关损耗产生机理。并以此为基础，尽可能详细的阐述了IGBT关断反峰的产生机理，以及现阶段已有的IGBT门极驱动技术，并对其优缺点进行分析。本文针对IGBT自身

4、的寄生参数提出了一种利用IGBT寄生参数反馈的门极驱动技术。该技术分为两种，即电容反馈和电感反馈。两种反馈方法在原理和仿真的基础上，设计实验硬件电路，并搭建实验平台，分别对两种反馈的效果，开关损耗，以及实现难易程度进行验证。最后通过对两种反馈的实验结果进行对比分析，得出结论。通过实验，基本证明IGBT的寄生参数反馈对IGBT关断时的反峰抑制有非常好的效果。对比发现，电感反馈相对于电容反馈来说，在相同反峰抑制效果的基础上，有对IGBT开关改善的作用，大大提高了IGBT的效率。本文最后对两种反馈对比分析的基础上，也提出了不足之处，并对今后发展提出了改进意见。关键词：IGBT，寄生参数，门极驱动，反

5、峰抑制，电容反馈，电感反馈IBasedontheparasiticparametersofIGBTgatedrivetechnologyAbstractTheelectriccaristhemostpopularvocabulary,andthedevelopmentoftheelectriccarisalsothenationalimportantprojectinthethirteenthfiveyearplan.Themotorcontrolleristhebodyofthenewenergyvehicles,andthehigh-powerIGBTasthecorecomponento

6、fthehigh-voltagemotorcontroller,it’sdevelopmentandapplicationareveryimportant.ThisarticleembarksfromtheactualstructureofIGBT,thepaperintroducestheequivalentcircuitofIGBT,IGBTswitchprinciple,thebasiccharacteristicsofIGBTandtheIGBTswitchinglossmechanism.Andonthisbasis,thispaperexpoundstheinversemechan

7、ismoftheIGBToffpeak,theexistingIGBTgatedrivetechnologyatthisstage,andanalyzestheiradvantagesanddisadvantages.ThisarticleinviewoftheIGBT’sownparametersproposesafeedbackgatedrivetechnologyusingIGBT’spar