7nm制程进展 相比14nm制程提升40%效能.doc

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1、7nm制程进展相比14nm制程提升40%效能　　格罗方德在近日公布7纳米制程相关的资讯，格罗方德表示预计较14纳米制程可能提升40%效能或将功耗降低55%。并将提供两款不同版本的7纳米制程。　　根据科技媒体《ZDNet》的报导，在日前的2017年国际电子元件会议（IDEM2017）上，晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）公布了有关其7纳米制程的详细资讯。与当今用于AMD处理器，IBMPower服务器芯片，以及其他产品的14纳米制程产品相比，7纳米制程在密度、性能与效率方面都有显著提升。另外，格

2、罗方德还表示，7纳米制程将采用当前光刻技术。不过，该公司也计划尽快启用下一代EUV光刻技术以降低生产成本。　　报导中指出，格罗方德最新一代的3D或FinFET电晶体，在7纳米制程下具有30纳米的鳍间距（导电通道之间的间距）、56纳米的栅极间距、以及40纳米的最小金属间距。此外，7纳米制程可生产的最小高密度SRAM单元尺寸为0.0269平方微米。以上公布的这些间距尺寸，相较14纳米制程来说已经有了大幅度的进步。对此，格罗方德方面表示，其调整了鳍片形状与轮廓以获取最佳性能。不过，格罗方德却拒绝提供有关该翅片宽度与高

3、度的测量资料。　　而根据格罗方德所公布的这些尺寸，不仅类似于台积电的7纳米制程，与英特尔宣称跟其他晶圆代工厂7纳米制程同等级的10纳米制程来说也大致相同。至于，另一家晶圆代工大厂三星，则将于2018年初在国际固态电路研讨会（ISSCC2018）上公布其直接采用EUV技术的7纳米制程的详细资讯。　　据了解，格罗方德将提供两款不同版本的7纳米制程。其中，用于移动处理器的高密度标准单元配有两个鳍片，高度仅为240纳米。换言之，即是该款芯片在SoC级别上较14纳米的芯片面积减少了0.36倍。另一款则被设计用于高性能服务

4、器的芯片使用上（例如IBMPower），不仅配有4个鳍片，以及较大的触点与导线，还能够以更高的效率执行。　　　　总而言之，格罗方德方面预计7纳米制程能够达成2.8倍的电晶体密度提升，并提高40%的性能表现，亦或者是在同等性能条件下将功耗降低55%。另外在高性能版本上，还能够额外提供10%的性能提升。尽管这些资料令人印象深刻，不过这些资料均来自于7纳米制程与目前技术