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时间:2020-02-29
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1、工艺与制造ProcessandFabrication浅析7nm之后的工艺制程的实现MarkLaPedus(EETimes半导体工程制造,美国)摘要:近来,GlobalFoundries宣布将会推进7nmFinFET工艺,引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。这是是来自SemiEngineering年的一篇报道,带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。关键词:集成电路制造;7nm;FinFET;GlobalFoundries中图分类号:TN405文献标识码:A文章编号:1674-2583(2017)01-005
2、0-04DOI:10.19339/j.issn.1674-2583.2017.01.013中文引用格式:MarkLaPedus.浅析7nm之后的工艺制程的实现[J].集成电路应用,2017,34(1):50-53.Analysisof7nmAftertheProcessoftheRealizationoftheProcessMarkLapedus(ExecutiveEditorformanufacturingatSemiconductorEngineeringofEETimes,SanJose,California,Ame
3、rica.)Abstract:Recently,GlobalFoundriesannouncedthatitwillpromotetheFinFET7nmprocess,causingtheindustrytoprocessnode,lithographyandothertechnologies.ThisisareportfromSemiEngineering,ledustounderstandthedevelopmentdirectionofthe7nmtechnologyandthefutureofthesemicon
4、ductorindustry.Keyword:integratedcircuitmanufacturing,7nm,FinFET,GlobalFoundries1引言之后的制程,则面临更大的挑战。7nm是否能顺利量随着尖端芯片制造商将其产品推向16nm、14产,5nm是否还有可能,3nm只存在于想象之中。nm、10nm甚至7nm制程,相关供应商也在更新其但有一点可以肯定,那就是到了10nm之后,我们技术蓝图。现在华为海思、三星和高通等芯片制造不能像在以往节点一样,通过简单地缩小栅极宽度来推商正在媒体上披露其10nm芯片的出
5、货规划,Global进工艺制程。往7nm的迁移势必需要昂贵的全新晶体Foundries、Intel、三星和TSMC也正在循序渐进的管架构、沟道材料和内部连接。同时还需要全新的Fab推进其工艺制程,GlobalFoundries甚至还在日前公工具和材料。但就我们观察,这些目前都不够成熟。布了其7nm计划。从技术的角度看来,我们可以生产7nm或5nm芯但随着工艺节点的推进,硅材料本身的局限逐片。但设计和生产这些制程的芯片,则需要极强的资金渐显现,加上ASML的EUV光刻机迟迟未能交付,和能力。另外,在有多重选择的当下,如何选择
6、正确的业界对于摩尔定律在7nm、5nm和之后的制程是否技术也是实现这些制程的关键。有效发表了不同的见解。从我们的角度看来,10nm从之前的路线图看来,在7nm制程,最有希望的节点工艺的实现是没有什么问题的,但到了7nm和晶体管候选者就是高电子迁移率的III-V族FinFET,而作者简介:MarkLaPedus,美国EETimes半导体工程制造,研究方向:集成电路的先进制造工艺。收稿日期:2016-09-22,定稿日期:2016-11-19。50集成电路应用第34卷第1期(总第280期)2017年1月ProcessandFa
7、brication工艺与制造之后的5nm则会迎来下一代的晶体管。锗无疑会是一个好选择。由于III-V族本身的特但近来这些现状都已经改变了,根据IMEC的一些性,我们还需要在上面花费更多功夫。报告显示,虽然III-V族FinFET可能会应用在7nm上,实际上,III-V族材料已经受到了很多的关注,且但他们认为最终会在5nm的时候普及下一代结构的晶体可能会在5nm的时候推出。而在7nm的时候,锗和管。所以根据IMEC的观点,下一代的晶体管可能会在7III-V族材料会是最有可能的竞争者。但是这些材料的nm上就出现。窄能带隙也会给
8、低漏电的晶体管带来麻烦。为此,对在7nm的时候,有三种晶体管可以选择,分别是环III-V族材料的期待从7nm迁移到5nm。但这并不排除绕栅极场效应晶体管、量子阱FinFET和SOIFinFET。近期会在源极和漏极上使用这种材料。根据IMEC的报告,环绕栅极场效应晶体管是最好的选因此,由于III-V族Fi
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