2018全球半导体产业成长估达10.1%，2019年内存价格将开始下滑.doc

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1、2018全球半导体产业成长估达10.1%，2019年内存价格将开始下滑　　1.中国产能逐渐开出内存价格2019将下滑；　　内存价格从2016年起一路上扬，但自2018下半年起，由于各厂商产能陆续开出，因此资策会MIC预测内存价格将于开始下滑。　　资策会MIC资深产业顾问洪春晖表示，2018年的半导体市场概况是近5年来难得的乐观，尽管2018年内存价格成长空间有限，但NANDFlash需求仍然持续增加。因此，预估2018年全球半导体市场规模将成长10.1％，其中最大的原因是各应用终端内存需求持续增加，以及车用电子等新兴应用带动。　　洪春晖进一步指

2、出，内存受惠于市场价格上扬，2018年全年台湾内存产业产值将成长25％，产值达2，053亿新台币。但自2018年第二季起，内存价格由于各新厂产能陆续开出价格开始松动，由其是在中国大陆，无论是DRAM或是NANDFlash产能都在持续开出；尽管目前尚未进入稳定量产阶段，但预期2018下半年内存价格仍有下跌空间，在未来两年内存也不容易再出现价格飙涨的状况。　　由于内存供给有望增加，因此展望2019年，预计内存成长趋缓，预期成长幅度为3.8％。观测台湾产业，半导体则因高阶制程与内存市场带动呈稳定成长，预估2018年台湾半导体产业产值将达2.46兆新台

3、币，较2017年成长8.1％，成长动力与全球平均水平相当。但预期在2019年，DRAM制程将转进至1x和1y纳米，Flash产能也持续增加，预计内存价格下滑将对台厂造成冲击。新电子　　2.2018全球半导体产业成长估达10.1%；　　资策会产业情报研究所（MIC）发表全球半导体产业趋势指出，2018年全球半导体概况，预估市场规模将成长10.1%，主要来自各应用终端内存需求持续增加，及车用电子等新兴应用带动；展望2019年，内存成长趋缓，预期成长幅度为3.8%，预计2018年下半年，这波产业景气就会逐渐落底。观测台湾产业，半导体因高阶制程与内存市

4、场带动呈稳定成长，预估2018年台湾半导体产业产值将达2.46兆新台币，较2017年成长8.1%，成长动力与全球平均水平相当。　　资策会MIC资深产业顾问洪春晖表示，台湾半导体各次产业表现皆可期。关于IC设计，随着台湾厂商手机处理器全球市占提升，再加上台湾厂商在无线连网芯片、TDDI等芯片市场需求增加，将让台湾IC设计产业产值年成长6.2%，产值达5，798亿新台币。而随着人工智能及物联网应用崛起，也带动台湾IC设计产业中，非3C应用IC的营收占比逐年成长，再加上非3C产品芯片规格多元化，吸引IC设计业者投入提供AISC设计服务，预期2019年

5、经营模式将朝多元化发展。晶圆代工则在2018下半年因挖矿机需求较减缓，预估全年成长约6.4％，产值达1.2兆新台币。展望2019年，随着台积电7+制程将量产，未来台湾先进制程比例可望进一步提升，预估2019年成长率达8~10％。　　　　3.美光转向电荷捕捉3DXpoint暖身时间不多了；　　由于对未来技术发展路线的看法出现歧异，英特尔（Intel）与美光（Micron）在NANDFlash方面的技术合作将在一年后告终。未来美光的第四代3DNANDFlash将放弃使用浮闸（FloatingGate）技术，转向电荷捕捉（ChargeTrap）。业界

6、常将此事解读为电荷捕捉技术大获全胜，成为未来NANDFlash所采用的主流技术，因为目前除了英特尔跟美光之外，三星（Samsung）、东芝（Toshiba）与海力士（SKHynix）都已改用电荷捕捉来生产3DNANDFlash。　　西瓜偎大边电荷捕捉大获全胜　　在半导体的世界里，一项技术能否成功，供需两端的规模都是非常重要的因素。美光的NANDFlash产品发展路线决定从浮闸转向电荷捕捉，正是因为除了英特尔跟美光之外，业内已经没有其他供货商采用浮闸技术。　　由于美光决定转向，未来还会坚守浮闸技术的NANDFlash供货商将只剩下英特尔。对英特尔

7、来说，这是一个相当不利的情况。一来日后所有的研发费用将必须独自承担，二来设备供应链业者愿意力挺到何种程度，也是个问题。英特尔的设备采购订单再大，也无法跟三星、东芝、海力士等业者的设备需求总量相比。设备业者在商言商，其NANDFlash相关设备的研发重心必然往电荷捕捉移动，未来还能分配多少资源给浮闸制程所使用的设备，是个大哉问。　　事实上，类似的情况在DRAM产业就曾发生过。在21世纪的前十年，DRAM产业就曾发生过沟槽式（Trench）与堆栈式（Stack）的架构大战。沟槽式DRAM（图1）的电容在闸极下方，堆栈式DRAM（图2）的电容器则在闸

8、极上方，是这两种DRAM最大的差异。　　在沟槽式DRAM的制程中，必须先在基板蚀刻出沟槽，然后在沟槽中沉积出介电层，以形成电容器，然后在电容器上方再制