2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关.doc

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1、2018年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关　　受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素，市场调查机构ICinsight调查报告指出，2018年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。　　报告中表示，之前在2018年3月份，ICinsight曾经预期2018年全年半导体的资本支出将成长8%。如今，才不到一季的时间，ICinsigh就把预估值由原本的8%上调至14%。这样看来，2018年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关，而且金额将比2016年足足成长53%。　　　　报告中进一步指出，近两年来始终位

2、居半导体资本支出龙头的韩国三星，虽然2018年还未公布全年的资本支出金额，但是一般相信，将不会超出2017年242亿美元的数字。不过，就目前的观察，三星仍在上紧发条不放松。　　事实上，三星在2018年第1季的半导体资本支出达到67.2亿美元，较之前3季水平略高。但是，若相较2016年同期，则已经成长近4倍的规模。累计过去4季以来，三星半导体部门的资本支出已经达到266亿美元的金额。　　ICinsight预期，2018年三星半导体的资本支出将在200亿元上下，略低于2017年242亿美元。不过，因为2018年首季就有较之

3、前略高的成长。因此，最后的结果很可能将比预期的200亿美元来的高。　　另外，因为NANDFlash及DRAM的市场需求强劲，韩国存储器大厂SK海力士预期也将在2018年增加资本支出至115亿美元，较2017年的81亿美元成长42%。　　而SK海力士在2018年增加的资本支出，将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外，还要扩大中国无锡的DRAM工厂。清州工厂在2018年年底前将开始兴建，而中国无锡DRAM厂的扩建，也计划在2018年年底前动工，这时间将比原计划的2019年初开工要早几个月。