重复经颅磁刺激对丙泊酚所致学习记忆损伤小鼠的影响

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1、重复经颅磁刺激对丙泊酚所致学习记忆损伤小鼠的影响：张苏明，李莉，徐振华，王丹【摘要】目的观察重复经颅磁刺激(repetitivetranscranialmagicstimulation,rTMS)对丙泊酚所致学习记忆损伤小鼠的影响。方法将小鼠分为3组：脂肪乳(10%)组(L组)、丙泊酚(20ml/kg)组(P组)、丙泊酚(20ml/kg)+经颅磁刺激组(T组)，每组10只。训练前30min给药，T组小鼠给药后10min接受300次刺激(10Hz、1.0Tesla、200μs)。利用避暗实验，记录小鼠训练当日和给药后24h的潜伏期和错误次数。结果在训练当日

2、，与L组相比，P组和T组潜伏期缩短(P<0.01)，错误次数增多(P<0.01);用药后24h，与P组相比，T组潜伏期延长(P<0.01)，错误次数减少(P<0.01)。结论rTMS能改善丙泊酚引起的学习记忆损害。【关键词】重复经颅磁刺激;丙泊酚;避暗实验;学习;记忆重复经颅磁刺激(repetitivetranscranialmagicstimulation,rTMS)是一种新型非创伤性的神经科学研究工具，并可能成为精神疾病的治疗手段[1]。rTMS是利用交变的电流产生交变的磁场，再通过交变的磁场产生的电流作用于特定区域的脑组织神

3、经细胞，使其去极化而产生生物效应。高频rTMS能提高皮质兴奋性并影响复杂的脑功能活动。通过对动物细胞和分子水平以及对人的神经生理、神经影像的研究，证实了rTMS对中枢功能有局灶性和间接性影响[2]。丙泊酚是临床常用麻醉药，研究显示丙泊酚有遗忘作用[3]，且对学习记忆的影响呈剂量依赖性[4]。若rTMS能改善丙泊酚造成的学习记忆损害，将减少术后不良反应，提高患者生活质量，但rTMS是否能改善丙泊酚造成的学习记忆损害，国内外鲜见报道。本实验采用避暗实验(step-throughtest)观察rTMS对腹腔注射丙泊酚后小鼠学习记忆的影响。　　1材料和方法　　1

4、.1实验动物昆明种小鼠30只，雌雄各半，体重20～28g，由徐州医学院实验动物中心提供。实验前1天使小鼠熟悉实验室环境，自由摄食、饮水。　　1.2实验药品丙泊酚注射液(FreseniusKabiAB公司，批号:Ul16844)。用生理盐水(NS)稀释成所需浓度。　　1.3主要仪器BA-200型小鼠避暗仪，成都泰盟科技有限公司研制，实验装置分为明暗两室，两室之间有一直径为3cm的圆洞，暗室底部铜栅通电。rTMS仪(自制，磁场强度1.0Tesla，90A·μs)，线圈为环型，外径95mm，内径55mm，圈数15，启始电流为顺时针方向。刺激频率10Hz，波形为

5、双相，脉冲宽度为200μs。线圈温度和刺激强度由仪器自动监控。　　1.4避暗实验及经颅磁刺激治疗按分层随机区组设计，将小鼠分为脂肪乳组(L组)、丙泊酚组(P组)和丙泊酚+经颅磁刺激组(T组)，每组10只，使各组小鼠平均体重和性别比例无显著性差异。训练前30minL组腹腔注射10%脂肪乳，P组和T组腹腔注射20ml/kg丙泊酚，所有药物均按照10ml/kg的容积给予。用药后10minT组开始进行经颅磁刺激治疗，每次rTMS6组(每组50次脉冲刺激，共300次磁刺激)，每组的刺激间隔为30s。线圈中心置小鼠颅顶上并不接触小鼠头部，与脊柱线平行。由于rTMS对

6、肌肉的直接作用，可见肌肉的轻微颤动，小鼠并无其他明显的不适。各组在用药30min后进行电击训练。训练时先将小鼠放入反应箱中适应3min，然后暗室底部铜栅通40V、50Hz交流电，将小鼠背对洞口放入明室，小鼠进入暗室则受到电击，记录小鼠第1次进入暗室的时间(潜伏期)，5min内进入暗室的次数(错误次数)，作为小鼠的学习成绩。用药后24h重新测试各小鼠，记录潜伏期和错误次数，作为记忆成绩。5min内小鼠未进入暗室，错误次数计为0，潜伏期计为300s。　　1.6统计学处理用SPSS13.0统计软件进行数据处理，错误次数及潜伏期均用±s表示，采用单因素方差分析L

7、SD检验，P<0.05认为差异有统计学意义。　　2结果　　从表1可以看出，在训练当日，与L组相比，P组和T组潜伏期缩短(P<0.01)，错误次数增多(P<0.01)。但与P组相比差异无统计学意义;用药后24h，与P组相比，T组潜伏期延长(P<0.01)，错误次数减少(P<0.01)。表1重复经颅磁刺激对丙泊酚所致学习记忆损伤小鼠的影响与L组比较：##P<0.01;与P组比较：**P<0.01　　3讨论　　记忆是脑重要的高级功能之一，目前认为某些神经元突触的激活、新突触的形成、新蛋白的合成、神经肽、激素及一些神经递

8、质如乙酰胆碱、多巴胺等都可能参与学习和记忆过程。因此学习和记忆可受到多种因素的影