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时间:2018-10-13
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1、放射抗拒性鼻咽癌细胞系的建立及差异表达基因:王亚利,王西京,王中卫,金迎迎,李毅【摘要】目的筛选同一放射敏感性不同鼻咽癌细胞基因差异表达,探讨鼻咽癌放射抗拒机理。方法用X射线间歇多次照射鼻咽癌细胞株E2建立放射抗拒性细胞E2R,采用BioStarH141s型基因芯片检测E2与E2R差异表达基因。结果E2和E2R细胞有差异表达的基因308条,上调176个,下调132个。在差异表达的基因中,有76个位点出现6倍以上的差异,其中36个下调、40个上调,包括与DNA修复相关、细胞周期、凋亡、细胞骨架相关蛋白、细胞增殖、代谢、蛋白质合成、信号转导、免疫相关等方面相关
2、的基因,基因分布变化较明显的主要是DNA修复相关基因、细胞骨架、细胞周期和凋亡相关基因。结论E2细胞反复照射后产生放射抗拒性细胞,在基因水平上发生了某些突变,通过调控其中相关基因,就有可能调控细胞的放射敏感性。【关键词】鼻咽癌;基因芯片;放射抗拒性 ABSTRACT:ObjectiveToobservethedifferentialgeneexpressioninhumannasopharyngealcarcinoma(NPC)celllineicroarrayanalysis.MethodsAradioresistantcellline,E2R,ahumanna
3、sopharyngealcarcinomacellslineE2byrepeatedXrayirradiation.ThedifferentialgeneexpressionofE2andE2RicroarraybyBioStarH141sprofilegenechip.ResultsThere,thereageandrepairrelatedgenes;cellcyclerelatedandcytoskeletonrelatedproteins;andapoptosisrelatedgenes.ConclusionTheradioresistant
4、E2RcellstheE2celllinebyrepeatedXrayirradiation.Thestableradioresistanceistheresultofcoeffectbypolygeneandmultiplefactors,provingtheradiocurabilityofNPC. KEYRT),图像引导的调强放疗(imageguidedradiationtherapy,IGRT)等取得了巨大的进展,但是如何克服放射抵抗性尚无理想途径。我们前期利用射线反复照射鼻咽鳞癌细胞株E2筛选出在形态学及放射生物学参数稳定的放射抗拒鼻咽癌细胞系E
5、2R[1]。在此基础上对两株细胞进行2Gy照射后利用基因芯片分析二者差异表达的基因,以期发现与放射敏感性的相关基因,进一步建立鼻咽癌辐射相关基因芯片,为探讨鼻咽癌放射抗拒机理提供理论基础。 1材料与方法 1.1细胞培养 E2及E2R置于含100mL/L小牛血清、30g/L谷氨酰胺的RPMI1640培养液内,在37℃饱和湿度的培养箱内培养。 1.2集落形成实验 指数生长期细胞用2.5g/L胰蛋白酶+0.2g/LEDTA消化计数后制备单细胞悬液,接种于6孔板(2mL/孔),每种细胞设6个复孔。根据不同细胞数目给予不同的照射剂量,细胞数2.0×102、2.0×1
6、02、1.0×103、1.0×104、1.0×105、1.0×106贴壁12h后分别接受6MVX射线单次剂量照射0、2、4、6、8、10Gy,将培养皿移入培养箱内,静止培养至6孔板出现肉眼可见的克隆(14~20d)。甲醇固定、Giemsa染色、低倍镜下计数所形成的集落数(≥50个细胞数的集落为有效的集落)。按照下述公式计算克隆形成率(platingefficiency,PE)=形成克隆数/种植细胞数×100%;存活分数(survivalfraction,SF)=实验组克隆形成率/对照组克隆形成率×PE。绘制剂量-存活曲线,计算照射2Gy后细胞存活分数(SF2)。 1
7、.3照射方法 Varian2300C/D直线加速器6MVX射线照射,源皮距100cm,剂量率2Gy/min。表面覆1cm厚组织补偿胶。取指数生长的E2及E2R细胞,2.5g/L胰蛋白酶+0.2g/LEDTA消化成单细胞悬液种植于25cm2培养瓶中,种植细胞密度为1.0×106/cm2,贴壁后6MVX射线照射2Gy,置于培养箱中继续常规培养24h用于后续研究。 1.4基因芯片 由上海博星基因芯片有限公司提供,型号为BioStarH141s。该芯片含有14112点的人类全长基因cDNA表达谱芯片,几乎涵盖了人类基因组的全部功能
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