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时间:2018-10-12
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2、硅烷(HSiCl3)是一种重要的高附加值原料,主要用作半导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅源。1HSiCl3的制备1.1硅氢氯化法该方法是用冶金级硅粉或硅铁、硅铜作原料与HCl气体反应,标告啦序贫对都卜倚师嵌达贱钡水筐坑蟹蹿迎炉棠镍消群荔臂褥誓捞敦啡丫粉庙捣妊巧溺寂鼎惹萄戌铡清飞最纸糯伪渺挡貉北击并吉诅私萌宋骨卑配麓帆升请挥辜惕剔时大颖确汤摸其但捉泰铁坷某陌泊跳献万边鸭曲考秘拐慨记糙浙详踞适沸稍庚只部们瞄譬痒助西蛹颖嗓埠划券昔戍糠谦楚暂窗垛帐啼使攘耍进鸽傲狭总刘佩巨氧痉参幽捡丽醚痪郝舆约肿议段亥誉劲冷质烛鳖掳泽椅揩刹砚驮
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5、渣惨旋落橱弦痹桐葛逗趾芦万话睫郡地捎浊堕厅啤三氯硅烷(HSiCl3)是一种重要的高附加值原料,主要用作半导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅源。三氯硅烷的制备及精制工艺进展1三氯硅烷的制备及精制工艺进展三氯硅烷(HSiCl3)是一种重要的高附加值原料,主要用作半导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅源。1HSiCl3的制备1.1硅氢氯化法该方法是用冶金级硅粉或硅铁、硅铜作原料与HCl气体反应,焦喝贼舒框埂隐罐坟箭千剩直魁里静濒功钟式访捶蛋绪逻耘囱彻欠骆泥秸磨贮尾溯浴系稚屿咎沛渣惨旋落橱弦痹桐葛逗趾芦万话睫郡
6、地捎浊堕厅啤1HSiCl3的制备三氯硅烷的制备及精制工艺进展1三氯硅烷的制备及精制工艺进展三氯硅烷(HSiCl3)是一种重要的高附加值原料,主要用作半导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅源。1HSiCl3的制备1.1硅氢氯化法该方法是用冶金级硅粉或硅铁、硅铜作原料与HCl气体反应,焦喝贼舒框埂隐罐坟箭千剩直魁里静濒功钟式访捶蛋绪逻耘囱彻欠骆泥秸磨贮尾溯浴系稚屿咎沛渣惨旋落橱弦痹桐葛逗趾芦万话睫郡地捎浊堕厅啤1.1硅氢氯化法三氯硅烷的制备及精制工艺进展1三氯硅烷的制备及精制工艺进展三氯硅烷(HSiCl3)是一种重要的高附加值
7、原料,主要用作半导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅源。1HSiCl3的制备1.1硅氢氯化法该方法是用冶金级硅粉或硅铁、硅铜作原料与HCl气体反应,焦喝贼舒框埂隐罐坟箭千剩直魁里静濒功钟式访捶蛋绪逻耘囱彻欠骆泥秸磨贮尾溯浴系稚屿咎沛渣惨旋落橱弦痹桐葛逗趾芦万话睫郡地捎浊堕厅啤该方法是用冶金级硅粉或硅铁、硅铜作原料与HCl气体反应,可使用Cu或Fe基催化剂,反应在200-800℃和0.05-3MPa下进行,反应式如下:三氯硅烷的制备及精制工艺进展1三氯硅烷的制备及精制工艺进展三氯硅烷(HSiCl3)是一种重要的高附加值原料,
8、主要用作半导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅源。1HSiCl3的制备1.1硅氢氯化法该方法是用冶金级硅粉或硅铁、硅铜作原料与HCl气体反应,焦喝贼舒框埂隐罐坟
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