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《多能mev硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、第卷第期半导体学报,月,年多能硼离子注人单晶硅形成特殊形状载流子分布关’‘一康秀赵渭江王宇钢张利春虞福春北京大学重离子物理研究所北京。。,北京大学微电子学研究所北京。。摘要以在型单晶硅表面拼内实现理想平台状型载流子分布为例,我们实验研究了多能离子注入形成特殊形状载流子分布的,用函数拟合叠加的计算机设计方法首先扩展电阻法测量高温快速热退火后的载流子分布,对一能量范
2、围内,单能硼离子注入单晶硅的研究表明函数分布比半高斯函数分布更好地符合实验所、测的载流子分布给出了投影射程。、偏斜度了和峭度俘对能量的依赖关系还由射程歧离双能离子注入研究了注入顺序对分布的峰位和峰高的影响及两个单能分布线性叠加的条件文中给出的按器件要求设计平台分布的离子束参数,与实验结果符合很好,己件旨」‘口‘二,、能量的离子注人深度可达微米量级在半导体工艺金属材料及绝缘体材料改性,,,仁‘〕中有着重要应用掺杂材料具有典型意义而且随着发展对注入形成载流子的分布形状等的研究越来越受
3、到人们的重视仁一二文献与。以高斯分布和半高,。斯分布为基础针对实现平台型分布提出了利用平均投影射程即入射能量与射程歧,,。显离的关系进行多能离子注入剖面叠加方法然直接从单能离子分布线性叠加考虑利,,用微机进行多能离子注入预设计模拟如果能达到足够精度比多次实验摸索离子注入条件要节省许多时间与经费,是一种理想方法但其可行性与实用性决定于三个条件,一是在精,确测量单能离子注入载流子分布基础上能选择合适的函数表达或拟合其分布二是这函数或其参数跟能量有简明关系,三是线性叠加条件需实验证实本实验以实现器件要求在‘,型单晶硅表面拼内形成
4、载流子浓度平台为例利用参数可调的半高斯分,,,布和!班分布的计算程序〔川拟合一中若干个能量的硼离子注入,单晶硅后经退火的载流子分布选择适当参数并研究其分布参数跟注入离子能量关’高校博士点基金资助项目,,,康一秀女年生硕士生从事离子束应用的研究赵渭江男,年生,教授,从事加速器物理与应用的研究王宇钢男,!年生,讲师,从事离子束应用的研究,日年月日收到初稿年月收到修改稿期康一秀等多能硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布系·并且以双能离子注入为例实验探讨多能量入顺序对
5、叠加分布的影响·最后进行实例独萍设计模拟,与实验测量的载流子分布比较,,喻今自,丈刁二艺一本实验的离子注入是在北京大学技术物理系的型串列静电加速器高能离子注入系统上完成的采用静电扫描和中性束过滤保证注入时的均匀性注入离子,,,“‘乍创为或剂量’左右能量一注入样品是型单晶硅“衬底浓度为只左右样品表面在注入前经过常规化学清洗考虑到所用加速器的,,最低能量为一般在硅样品表面生长。一人的为避免注入沟道效应实验中采用偏“注入离子注入实验是
6、在室温条件下进行的,靶室真空度优于又功,一为了激活杂质注入样品在北京大学微电子所的光源为卤灯装置上进行了、℃左右的高温快速热退火退火后的载流子分布是在中科院半导体所用,一,型扩展电阻探针、测量的该仪器深度分辨能为人测量浓度误差为,测量深度误差在以内结果及分析讨论单能离子注人中的载流子分布,、、、、、单能离子注入七个样品能量分别为和,工又剂量均为其中四个注入样品的载流子分布
7、的测量结果示于图,粼鹭侧说璐娜由申日火‘深度拜、,、、图!。。退火后用其中只△口和方法测量的实验注入载流子分布、、分别代表注入能量为和的结果由图中我们可,注入,不属高斯分布对实验结果用计算以看到的载流子分布明显不对称,仁’‘三!机程序进行了半高斯分布和分布的拟合参见图比较发现分布可半导体学报卷吕
