siccsic复合材料进行硼离子注入的工艺研究

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1、第67卷第8期;EF*67->E*8真空;

2、1<<=799:年:月=H.*799:/01213/01复合材料进行硼离子注入的工艺研究马国佳-张华芳-武洪臣-蒋艳莉-彭丽平(北京航空制造工程研究所-北京&###"$,摘要!叙述采用等离子体源离子注入法(4566,-对带有578涂层的8纤维增强578基(578%83578,复合材料进行硼离子注入的工艺研究.通过朗缪尔单探针测量了等离子的密度-对注入剂量进行了估算.对复合材料采用加金属网的工艺-来提高离子注入能量.用俄歇电子能谱检测分析了加金属网与未加金属网样品硼离子的成分

3、深度分布.证明了加金属网工艺可以有效改善不良导体的注入效果.在空气中&9##:的高温条件下进行了氧化实验-实验结果说明对578%83578复合材料注入硼有助于提高其抗氧化性能.关键词!/01213/01;离子注入;复合材料;等离子体源中图分类号!<=99"文献标识码!>文章编号!&##"%#9""("##?,#9%##"9%#$@ABCDEFEG0BHFIAJAHIBCEDKEIED0ED20LMFHDNAO/01213/01BELMEJ0NAJP>QRS%T7U-VW>XQWRU%YUZ[-]WSZ[%8^_Z-

4、T6>XQ‘UZ%a7-4bPQc7%d7Z[(efghgijkflminopgqnrsniotnqpolgijufqvimrmjwxfyfnlqvziypgpopf-efghgij&###"$-{vgin,

5、KJNIHBN!4566(daU}~U}SR!"_7SZ7~daUZ#U#7SZ,d!S"_}}$U}Udda7_%#S#^_&S!SZ7SZ%7~daUZ#_%83578"S~dS}7#_}$7#^578"SU#7Z[UZ%7Z’_}#7[U#_%#_"^ZSaS[7"Uaa(-S)$^7"^#^_daU}~

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8、8%83578;7SZ7~daUZ#U#7SZ;"S~dS}7#_;daU}~U}SR!"_7SZ7~daUZ#U#7SZ(4566,碳化硅陶瓷具有耐高温0耐磨0耐腐蚀0热稳定3实验方法性好等优点-在许多领域得到大量应用.但是单一陶瓷材料存在脆性断裂的缺点-纤维增强陶瓷基复合实验采用的设备是b84全方位等离子体注入材料解决了这个问题-纤维增强的主要目的是当材设备(如图&,-该装置由脉冲高压电源0真空室0料受载裂纹扩展时-具有高强度0高模量的纤维通过b84磁场线圈0微波传输系统及系统抽真空部分组各种消耗能量的途径-防止

9、材料发生破坏-同时保留成-系统抽真空部分由机械泵和分子泵组成-4566了陶瓷基体的特点.其增强体多采用碳纤维和碳化设备的等离子产生是根据b84原理设计的1"2-主真硅纤维1&2-但是由于基体和碳纤维之间热膨胀不匹空室为圆柱形腔体-两个b84谐振腔相对地分别安配-材料会产生一些裂缝0小孔-同时基体在高温状置在主真空室的两侧.b84磁场线圈被放在放电腔态下会发生氧化-产生微裂纹及气泡-为了提高抗氧外侧-微波系统是由频率为"*$?QW5的微波发生化性-经常在复合材料表面沉积一层578-但578涂器0环形器0双向耦合器0三销

10、钉调配器以及真空弯层也会产生裂纹和缺陷-为了进一步改善抗氧化性波导所组成.如果线圈通有电流时能够产生’*?Q能-可以利用4566对578%83578复合材料进行硼离子的磁场-并且此时微波频率和电子在磁场中的回旋注入.但是由于578%83578复合材料是不良导体-加速频率相等-便可以产生电子回旋共振进而使微波能高压如何引入则成为注入工艺的关键-通

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