士兰微svf12n65规格书(最新版)

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1、SVF12N65T/F/FG/K/S说明书12A、650VN沟道增强型场效应管描述SVF12N65T/F/FG/K/SN沟道增强型高压功率MOS场效应TM晶体管采用士兰微电子的F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。特点∗12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.64Ω@VGS=10V∗低栅极电荷量∗低反向传输电容∗开关速度快∗提升了dv/dt能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包

2、装形式SVF12N65TTO-220-3LSVF12N65T无铅料管SVF12N65FTO-220F-3LSVF12N65F无铅料管SVF12N65FGTO-220F-3LSVF12N65FG无卤料管SVF12N65KTO-262-3LSVF12N65K无铅料管SVF12N65STO-263-2LSVF12N65S无铅料管SVF12N65STRTO-263-2LSVF12N65S无铅编带版本号：1.72012.09.17共9页第1页士兰微电子SVF12N65T/F/FG/K/S说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数范围参数名称符号SVF12NSVF12NSVF12NSVF

3、12N单位65T65F(G)65K65S漏源电压VDS650V栅源电压VGS±30VTC=25°C12漏极电流IDATC=100°C9漏极脉冲电流IDM48A耗散功率（TC=25°C）22551209212WPD-大于25°C每摄氏度减少1.80.411.671.7W/°C单脉冲雪崩能量（注1）EAS786mJ工作结温范围TJ-55～+150°C贮存温度范围Tstg-55～+150°C热阻特性参数范围参数名称符号SVF12NSVF12NSVF12NSVF12N单位65T65F(G)65K65S芯片对管壳热阻RθJC0.562.440.60.59°C/W芯片对环境的热阻RθJA62.5

4、12062.562.5°C/W电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=250µA650----V漏源漏电流IDSSVDS=650V，VGS=0V----1.0µA栅源漏电流IGSSVGS=±30V，VDS=0V----±100nA栅极开启电压VGS(th)VGS=VDS，ID=250µA2.0--4.0V导通电阻RDS(on)VGS=10V，ID=6.0A--0.640.8Ω输入电容Ciss--1476--VDS=25V，VGS=0V，输出电容Coss--152--pFf=1.0MHz反向传输电容Cr

5、ss--4.5--开启延迟时间td(on)VDD=325V，ID=12A，--37.67--开启上升时间trRG=25Ω--61.67--ns关断延迟时间td(off)--80.33--关断下降时间tf(注2，3)--46.67--栅极电荷量QgVDS=520V，ID=12A，--24.15--栅极-源极电荷量QgsVGS=10V--7.86--nC栅极-漏极电荷量Qgd(注2，3)--7.47--版本号：1.72012.09.17共9页第2页士兰微电子SVF12N65T/F/FG/K/S说明书源-漏二极管特性参数参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流ISMOS管中源极、

6、漏极构成的----12A源极脉冲电流ISM反偏P-N结----48源-漏二极管压降VSDIS=12A，VGS=0V----1.4V反向恢复时间TrrIS=12A，VGS=0V，--590.61--ns反向恢复电荷QrrdIF/dt=100A/µS（注2）--5.62--µC注：1.L=30mH，IAS=6.66A，VDD=140V，RG=25Ω，开始温度TJ=25°C；2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3.基本上不受工作温度的影响。典型特性曲线图1.输出特性图2.传输特性100100变量VGS=4.5V-55°CVGS=5V25°CVGS=5.5V150°C))VGS

7、=6V(A10(A10DVGS=7VDIIVGS=8V––VGS=10VVGS=15V11漏极电流漏极电流注：注：1.250µS脉冲测试1.250µS脉冲测试2.TC=25°C2.VDS=50V0.10.10.1110100012345678910漏源电压–VDS(V)栅源电压–VGS(V)图3.导通电阻vs.漏极电流图4.体二极管正向压降vs.源极电流、温度0.80100)0.78VGS=10V-55°C(Ω)VGS=20V)25°C0.76(A150°