PECVD技术在未来高效太阳能电池中的应用-论文.pdf

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1、PECVD技术在未来高效太阳能电池中的应用■文／庞宏杰柳琴郭群超张愿成上海太阳能：rail技术研究中心有限公司随着社会经济的发展，能源危机一PECVD反应原理¨底造成损伤；成膜质量好，沉积的薄和环境污染问题已成为人类面临的最PECVD技术的原理是利用辉光膜较致密。迫切需要解决的问题。太阳能清洁、放电产生的等离子体使气体分解并发无污染、取之不尽用之不竭，太阳能生反应，从而生成薄膜(见图1)。一般二、几种高效电池技术发电技术可以将太阳光的辐射能直来说，采用PEcVD技术制备薄膜材料1．HIT高效电池接转换为电能，是目前

2、可再生能源技时，主要有以下3个基本过程：①电子(1)常规HIT电池术领域中发展最快、最有前途的技术与反应气体原子或分子碰撞，使得反应HIT(Heterojuncti0nwith之一。目前80％以上的太阳能电池由气体发生分解、激发或电离，形成离子IntrinsicThinLayer)电池是一种晶体硅材料制备而成，制备高效率、低和活性基团的混合物；②各种活性基带本征薄层的异质结太阳能电池，于成本的晶体硅太阳能电池对于大规团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同1992年由日本Sanyo公司首次制备成模利用太阳能发电有着十分重

3、要的时发生各反应物之间的次级反应；③功但】，转换效率达到18．1％。之后，HIT意义，其中，等离子体增强化学气相到达衬底表面的各种初级反应和次级电池转换效率不断提升。2014年4月，沉积(PlasmaEnhancedChemical反应物被吸附并与衬底表面发生反应，松下公司发布消息称，其最新研发的VaporDeposition，PECVD)是制备同时伴有气相分子物的再放出。住宅用“HIT太阳能电池”的转换效高效晶体硅太阳能电池的关键设备，PEcVD沉积薄膜工艺具有如下率达到25．6％，为目前世界最高纪录。本文将集中

4、对PECVD技术进行介绍。特点：工艺温度低，可避免高温对基HIT电池是异质结薄膜和晶体硅的重圜AdvancedMaterialsIndustryINSIGHTf匦因此选取合适的透明导电薄膜的向电阻率，相当于增加了太阳能电池太阳能发电作为理想的可再生能源种类、制备方法以及厚度是该技术的的受光面积有利于制作浅结太阳能电备受关注，提高电池效率和降低成本关键点。采用PECVD技术具有低温工池，提高太阳能电池对短波光谱的吸成为目前努力的方向。PECVD技术艺的优点，是制备透明导电薄膜的首收，提高输出功率。沉积温度低、应用范围

5、广，未来通过要选择。PECVD研究获得优异特性和较高转使采用的透明导电膜前电极起四，结语换效率的太阳能电池，具有很好的发着前电极和减反射的双重作用，从而随着现代工业的发展，全球能源展前景。日提高了入射光的量，降低前电极的横危机和大气污染问题迫切需要解决，10．3969／j．j^锄．1008-892X．2014．06．014参考文献【1】安其．等离子体增强化学气相沉积设备的研制【J】．真空，2012，49(1)：52-56．’【21TanakaM，TaguchiM，MatsuyamaT，eta1．Developmen

6、tofnewa—si／c—siheterojunctionsolarcells：ACJ-HIT(ArtificiallyConstructedJunction-HeterojunctionwithIntrinsicThin-Layer)[J】．Jpn．J．App1．Phys．，1992，31：3518-3522．【31陈晨，贾锐，朱晨昕，等．异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用[J】．物理学和高新技术，2010，39(2)：123-129．【4】StaeblerDL。WronskiCR．Reversiblec

7、onductivitychangesindischargeproducedamorphoussi[J】．AppliedPhysicsLetters，1977，31(4)：292-294．【5】李成虎，赵玉文，黎雪梅，等．一种新型臂硅混晶异质结构太阳电池的设计与理论分析【J】．太阳能学报，2000，21(4)：410-416．【6】GranckF，HermleM，ReichelC，eta1．HIGH—EFFIClENcYBACK-CONTACTBACK-JUNCTIONSILICONSOIARCELLRESEARCH

8、ATFRAUNHOFERISE[C】．The23rdEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConferenceandExhibition，2008．【7】杜永超，陈伟平，刘汉英，等．太阳电池用硅片表面钝化研究[J】．电源技术，2004，28(10)：641-643．【8】Jans，Fl0r．啪W，P~rlsV，cta1．工业化AI沉积