数字电子技术复习王.ppt

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1、第一章半导体二极管及其基本电路1、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用；2、正确理解二极管工作原理、主要参数、使用方法；3、掌握稳压管工作原理及使用；要求：本章知识点一、二极管的最主要特性----单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度

2、的影响，温度愈高反向电流愈大。本章知识点1理想模型：理想二极管(vD＞0)二极管导通VF=0r=0开关闭合(vD<0)二极管截止iD=0r=∞开关断开二、二极管正向V-I特性的模型本章知识点2恒压降模型：(vD＞VF)二极管导通vD=VFr=0开关闭合(vDV阴或UD为正，二极管导通,U=0V若V阳V阴+0.7或UD>0.7，二极管导通,U

3、=0.7V(硅管)若V阳

4、及其物理意义；（4）掌握放大电路组成、原理及分析方法；（5）熟悉放大电路三种基本组态；要求：本章知识点一、半导体三极管（BJT）BJT是由两个PN结组成的有源器件，分为PNP和NPN两种类型。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。BJT的三端分别称为发射极E、基极B和集电极C。BJT的放大作用要求其内部结构特点是发射区重掺杂、基区轻掺杂宽度很窄、集电结面积较大。要求外部条件是发射结正偏、集电结反偏。BJT电流分配关系：IE=IB+IC=（1+）IB两种极间反向电流关系：ICEO=（1+

5、）ICBO本章知识点一、半导体三极管（BJT）BJT输出特性三个区的划分及特点NPN型条件各结偏置特点截止区VBVB>VEE结正偏﹑C结反偏IC≈IB饱和区VB>VE，VB>VCE﹑C结均正偏VCE=VCESPNP型条件各结偏置特点截止区VB>VE，VB>VCE﹑C结均反偏IC≈0放大区VC

6、:-正温度系数(温度增1度,增0.5%-1%)VBE-负温度系数(温度增1度,VBE降2.2mV)小信号等效模型：ibibube+-rbeBECicuce+-本章知识点三、放大电路三种基本组态及其性能参数(主要是共射极和共集电极)直流通路(静态工作点)﹑微变等效电路(放大倍数﹑输入电阻﹑输出电阻求解)应用多级放大电路中间级输入级﹑输出级或缓冲级高频或宽频带电路及恒流源电路本章知识点1.电压放大倍数小于1，约等于1;2.输入电阻高；3.输出电阻低；4.输出与输入同相。四、共集电极放大电路(射极输出器)的特点：本章知

7、识点五、差分放大电路输入信号的分类(共模输入﹑差模输入﹑任意输入)零漂抑制共模电压放大倍数Avc差模电压放大倍数Avd共模抑制比(KCMRR)第三章功率放大电路要求1、熟练掌握功放的特点、互补对称功放的工作原理、输出功率及效率的计算；2、理解功放中有关概念：交越失真本章知识点一、功放基本概念主要向负载提供功率的放大电路；和电压放大电路所完成的任务不同，对电压放大电路的主要要求是使负载得到不失真的电压信号，主要讨论的是电压增益、输入和输出电阻等。功放主要要求获得一定的不失真（或失真较小）的输出功率，通常是在大信号状态下工

8、作。本章知识点二、对功放的基本要求输出功率尽可能大效率尽可能高非线性失真尽可能小管耗尽可能小本章知识点三、功率放大电路的功率状态甲类：θ=2π整个周期有电流；失真小，但效率低乙类：θ=π一半时间无电流；效率高但有交越失真甲乙类：π〈θ〈2π少半时间无电流；效率高，可以消除交越失真。本章知识点四、功率器件选择要求1)PCMPT1m