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1、数字电子技术基础期末复习基础知识：1、2、3章组合逻辑：4章分析、设计；常用功能器件数制、二进制码基本逻辑门电路逻辑代数、卡诺图触发器：5章时序逻辑：6章分析、设计；常用功能器件特定功能电路：10章(波形产生与变换)半导体存储器：7章（ROMRAM）D/AA/D转换：11章2重点：1.代数法、卡诺图法化简逻辑表达式；2.基于门电路参数的计算问题；3.组合逻辑电路的分析与设计；4.同步时序逻辑电路的分析设计；5.常用组合逻辑电路的应用；6.常用时序逻辑电路的应用；7.单稳、多谐、施密特电路的分析计算；8.存储器的扩展；D/A、A/D转换器3第一、二章习题4例：将
2、下列二进制数转换为十进制数（1）10110.0101（2）1101101.111解：（1）(10110.0101)2=1×24+1×22+1×21+1×2-2+1×2-4=(22.3125)10（2）(1101101.111)2=1×26+1×25+1×23+1×22+1×20+1×2-1+1×2-2+1×2-3=(109.875)10例：将十进制数225.246转换为二、八和十六进制数解：（1）(225.246)10=(11100001.011)2（2）(225.246)10=(341.175)8（3）(225.246)10=(E1.3E)165例：将下列十
3、进制数转换BCD码（1）(526.72)10=(?)余3码（2）(645.89)10=(?)5421BCD解：(1)(526.72)10=(1000,0101,1001.1010,0101)余3码(2)(645.89)10=(1001,0100,1000.1011,1100)5421BCD例：某数(1100,1101,1110.1111)其对应的十进制数(678.9)10,问该数是什么BCD码解：(1100,1101,1110.1111)2421BCD=(678.9)106例：用公式法证明下列等式解：A⊕B⊕C=A⊙B⊙C例：用公式法证明下列等式解：7例：用公
4、式法化简解：用对偶函数的方法8例：用公式法化简解：9例：将下列各函数用与非门实现解：10例：将下列各函数用或非门实现解：用圈0的方法11例：用卡诺图将下列含有无关项的逻辑函数化简为最简“与或”式和最简“或与”表达式。变量A,B,C,D不可能出现相同的取值解：12例：用卡诺图将下列含有无关项的逻辑函数化简为最简“与或”式和最简“或与”表达式。约束条件A⊕B=0解：13第三章习题14例：已知CMOS电路和输入A,B及控制端C的波形,试画出Q端的波形解：当C=0时，TG1导通、TG2截止，当C=1时，TG2导通、TG1截止，15例：试写出下图所示的逻辑功能解：16例
5、：试写出下图所示的逻辑功能解：17例：试说出如下各TTL电路输出电平（高、低、高阻）低高高低高阻高阻低低18例：试说出如下各CMOS电路输出电平（高、低、高阻）高低低19例：试按输出逻辑表达式连接TTL电路VCCGNDVCC20例：图中R1,R2和C构成输入滤波电路，当开关闭合时，要求门电路输入电压≤0.4V，当开关断开时，要求门电路输入电压≥4V,试求R1和R2的最大允许值；各门电路为74LS系列TTL反相器，高电平输入电流≤20uA，低电平输入电流≤-0.4mA解：开关闭合时，低电平输入电流流过电阻R2:开关断开时，高电平输入电流流过电阻R2和R1:21例
6、：图为继电器线圈驱动电路，要求VI=Vth时三极管T截止，而VI=0时三极管饱和导通。已知OC门输出管截止时漏电流IOH≤100uA,导通时允许流过的最大电流ILM=10mA,管压降小于0.1V，三极管放大倍数为50，继电器线圈内阻240欧姆，电源正电压12V，负电压-8V，R2=3.2k,R3=18k，求R1阻值范围。22解：根据饱和导通的要求，计算R1的最大值：23根据截止的要求，计算R1的最小值：24例：图为用TTL电路驱动CMOS电路的实例，试计算上拉电阻的取值范围，TTL与非门在VOL≤0.3V时最大输出电流为8mA，输出管截止时有50uA电流，CM
7、OS或非门输入电流可忽略，要求加到CMOS或非门的电压VIH≥4V,VIL≤0.3V,电源电压为5V。根据CMOS门输入高电平的要求：解：根据CMOS门输入低电平的要求：25第四章习题26例：由与非门构成的表决电路如图所示，ABCD表示4个人，L=1时表示决议通过，试分析（1）通过决议有几种情况；（2）谁的权力最大。解：（2）C的权力最大。27例：已知某组合电路的输入ABC和输出F的波形如图所示，试写出F的最简与或表达式。解：28例：试说明如下电路的功能。解：写出逻辑表达式：29得到逻辑真值表：当ABC取值全相同时，输出0，否则输出1，该电路为“不一致”判断电
8、路30例：与非门组成的电路如图所示。试
