Array 工艺技术基础.ppt

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1、Array工艺技术简介Array工艺构成Thin-Film---EQP---L/ULChamber：在ATM和Vacuum两个状态之间传送Glass的Chamber---TransferChamber：把玻璃基板在各个周边的Chamber之间进行传送的Chamber，内有一个VacuumRobot。---SputterChamber：进行Deposition的Chamber。SputterChamber的主要构成有：---Platen：用来放玻璃基板（Gate有2个,SD、ITO为1个）---Cathode：包括Tar

2、get、Shield、MagnetBar等构成部分---Motor:有Plate转动的Motor、Plate升降的Cylinder、Cathode开关的Motor、MagneticBar运动的Motor等。Sputter-SPChamberSystemComponentsAutomatedcassetteloadstationACLS(optional)Thesystemhardwareconsistsofthreemajorcomponents:MainframeRemotemodulesRemoteSupportE

3、quipmentHeatExchangerTheheatexchangerprovidesDIwatertotheRFmatchforcoolingpurposesProcessPumpsProvidesvacuumtotheprocesschambersRFgeneratorTheRFgeneratorsuppliesRadioFrequencytotheprocesschamberforthepurposeofcreatingaplasmaMainframePumpProvidesvacuumtothetransf

4、erandloadlockchambers.RemoteACPowerBoxFacilitypowerisconnectedfromcustomerfacilitiestotheremoteACpowerboxontheremoteservicemoduleAllelectricalpowertothesystemisdistributedfromtheACpowerboxDeposition---PECVDGASINPlasmaGASOUTGlass~RFPower13.56MHzSiH4,NH3PH3等4EAGND

5、DiffuserSusceptorProcesschamberDeposition---PECVDACLSAutomaticCassetteLoadStationLoadlockChamberTransferChamber(X-Fer)ProcessChamberLayer名称使用气体描述MultiGHSiH4+NH3+N2对Gate信号线进行保护和绝缘的作用GLALSiH4+H2在TFT器件中起到开关作用AHNPSiH4+PH3+H2减小a-Si层与S/D信号线的电阻PVXSiNxSiH4+NH3+N2对S/D信号线

6、进行保护PECVD所做各层膜概要SiNX绝缘膜：通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体,生成等离子体在衬底上成膜。a-Si:H有源层膜：SiH4气体在反应室中，经过一系列初级、次级反应，生成包括离子、子活性基团等较复杂的反应产物，最终生成a-Si:H薄膜沉积在衬底上，其中直接参与薄膜生长的主要是一些中性产物SiHn（n为0～3）n+a-Si:H欧姆接触层：在SiH4气体中参入少量PH3气体在衬底上成膜。PECVD绝缘膜、有源膜成膜机理a-Si:H：低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率高(2)a-SiNx:H

7、：i.作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率高，固定电荷少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀。ii.作为钝化层，密度较高，针孔少。(3)n+a-Si：具有较高的电导率，较低的电导激活能，较高的参杂效率，形成微晶薄膜。---成膜机理---膜性能要求EtchEtchRateRequirementItemsUniformitySelectivityProfileCDBiasRequirementItemsofWetEtchFICDSizeGlassSUBSTRATEFILMDICDSizePHOTOTES

8、ISTCDBIAS＝

9、DICD–FICD

10、说明：1、CD：CriticalDimensionDICD：DevelopmentInspectionCD，PR间距离（有PR）FICD：FinalInspectionCD，刻蚀完后，无PR。OL:各mask之间对位的偏差。2、干法刻蚀主要以垂直方式刻蚀，CDBIAS较小；湿法刻蚀水平方向