芯片测试规范

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1、芯片测试规范测试规范1.适用范围1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生产；.2.目的2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。3.可靠性测试 6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次） 6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次） PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1    2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所

2、以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上；     3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。 7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常； 8.高低温老化：环境（60度，-10度）   基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。   从多年的经验来看，FLASH对于温度要求

3、没有这么敏感。 9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到； 10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就需要SMT制程工艺规避空洞率；2.功能测试； 版本号/修改码：A第5页，共5页芯片测试规范3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大； 4.容量检查，容量

4、标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选； 5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源； 6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明1.测试环境u温度：25±2℃u湿度：60%~70%；u大气压强：86kPa~106kPa。2.测试工具u可调电源（最好能显示对应输出电流）u可调电子负载u示波器u万用表3.测试参数表1电源芯片测试参数待测参数必测项选测项测试方法简要说明输入电压范围√1）调节电子负载，保证电源芯片满载工作；2）调节可调电源

5、输出为下限值VIN_MIN，记录此时对应输出电压，记为V13）调节可调电源输出为下限值VIN_MAX，记录此时输出电压，记为V24）电源芯片额定输出为V05）分别计算{

6、V1-V0

7、/V0}×100％，{

8、V2-V0

9、/V0}×100％，判断此时的输出是否满足精度要求输出精度√记录电源芯片所有可能的输出电压最大值、最小值，进行计算版本号/修改码：A第5页，共5页芯片测试规范纹波及噪声√如图2所示，测试时，在输入端磁片电容两侧焊接两“牛角”引线，示波器探头去掉负端夹子，将示波器探针和负端金属环直接贴在磁片电容的两“牛角”上。开关频率√测试纹波的同时，记录相应的纹波频率，即为开关频率电

10、压调整率√1）设置可调电子负载，使电源满载输出；2）调节电源芯片输入端可调电源的电压，使输入电压为下限值，记录对应的输出电压U1；3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0；4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2；5〕按下式计算：电压调整率={(U-U0)/U0}×100％式中：U为U1和U2中相对U0变化较大的值；负载调整率√1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记录最小负载量的输出电压U1；2）调节负载为50%满载，记录对应的输出电压U0；3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2；4）负载调整率按以下公式计算：负载调整率={(U-U0)/U0}×100％式中

11、：U为U1和U2中相对U0变化较大的值；电源效率√电源效率随负载大小变化，如图3所示。25℃、80%负载情况下电源效率测试方法如下：1）调节电子负载，保证输出电流为80%满载情况；此时对应的输出电压记为U0，电流记为I0；2）调节输入端可调电源，保证给电源芯片提供额定输入电压U1，并记录此时可调电源的输出电流，记为I1；3）电源效率按以下公式计算：电源效率={(U0×I0)/(U1×I1)}×100％输出最大功率√该参数与环境温度有关，如图4所示。该测试可借助高温环境