芯片测试反压作业规范及品质要求

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1、芯片测试反压作业规范及品质要求主讲人—钟燕平2010年06月22日芯片测试反压作业规范及品质要求一、芯片测试工艺目的及品质要求二、芯片测试准备工作三、芯片测试四、芯片测试软件注意事项五、芯片测试操作注意事项六、芯片测试安全注意事项七、芯片反压工艺目的及品质要求八、芯片反压准备工作九、芯片反压作业步骤十、芯片反压异常判定十一、芯片反压操作注意事项十二、芯片反压安全注意事项一、芯片测试工艺目的及品质要求1、工艺目的测试非晶硅太阳电池芯片的电性参数；2、品质要求2.1、测试结果有较好的重复性，误差范围2%

2、内；2.2、测试环境温度25±5℃；2.3、光强分布误差：100±5mw/cm2；2.4、测试过程中不造成人为破角或在背电极留下手指印，及探针刮伤膜面；二、芯片测试准备工作1、开机A、打开计算机，双击桌面软件图标，进入测试软件工作界面；B、进入测试界面后，打开氙灯电源钥匙开关,待显示屏界面稳定后按“STOP”和“WORK”切换按钮；C、打开负载电源开关（如图1）；图1负载电源开关图2主电源电压显示界面二、芯片测试准备工作2、标准板清洁A、在搬运测试标准板时，需要戴上尼龙手套，减少标准板玻璃面的手指印

3、残留；B、车间测试人员在较准标准板前，要先对标准板的玻璃表面进行清洁（用旧尼龙手套或纱布沾上酒精进行清洁），清洁后才可以进行标准板较准；3、光强校准A、点击测试软件界面中的光强测试按钮，进入光强测试界面；B、在光强测试界面中，点击“重测”按钮（连续3-5次），若光强在100±5mw/cm2范围内，则点击“平均”按钮，后再点击确定；若标准光强不在规定的范围内，则通过微调整主电源电压（调节幅度±5V，）使标准光强达到100±5mw/cm2；二、芯片测试准备工作4、标准板校准A、在标准光强100±5mw/

4、cm2下测试非晶硅太阳电池组件标准片；B、根据测试结果和标准片所标示的参数对比，在控制面板界面进行修正校准因子：a、调整电压测量校准因子使Voc与标准板标称标示值相近；b、调整电流测量校准因子使Isc与标准板标称标示值相近；c、在开关时间不变的情况下，调整修正电阻使FF、Pm与标准板标示值相近（此过程需要配合调整电压测量较准因子、电流测量较准因子）；d、若调节修正电阻无法使FF、Pm与标准板标示值接近，则相应调节开关时间，此时需按3的要求重新校正光强，并按4.B.a至4.B.c的步骤进行较准标准板；

5、e、标准板较准过程中的测试值（FF、Voc、Isc、Pm）需与标准板标称值相近，并且具有良好的重复性和一致性，相近值重复次数不少于4次；f、标准板生产校准过程中只允许修改电流测量校准因子、电压测量校准因子、开关时间、修正电阻，禁止修改其他测试参数；g、标准板较准时各项参数与标准板标示值的误差范围为：Pm（±0.15W）、Voc（±0.15V）、Isc（±0.015A）、FF（±0.015）；二、芯片测试准备工作图3工艺参数设定窗口图4测试软件窗口光强测试按钮三、芯片测试1、作业员戴好尼龙手套，取待测

6、试电池芯片置于测试机进片口的万向轮平台上，电池芯片正极边为靠近测试电脑的那一边（单晶硅标准板），且芯片应在测试机的测试区域内（如图5）；三、芯片测试2、用扫描仪把芯片上条码扫到测试软件界面中（或手动输入芯片编号），后轻轻推动待测电池芯片，使待测电池芯片在测试机的中间位置（待测电池芯片的受光面面向光源）；3、按下测试机气动阀的控制开关，使气缸下压，从而使测试探针与电池芯片的正负极相接触；4、点击测试界面中的“测试”按钮（可使用快捷键“空格键”或“Alt+x”）或踩下脚踏开关进行测试并根据芯片的情况选择

7、相应的产品形态；三、芯片测试5、每片芯片至少需要测试两次，并记录最后一次测试数据记录；6、测试人员按下气动阀控制开关让测试工装上升，脱离与芯片的接触；7、下片人员从下片口处拉出已测试的电池芯片，并参照品保发行的《非晶硅太阳能电池芯片/组件等级判定标准》将电池芯片进行等级分类放置于相应的小推车上；8、车间每个班在下班前需要将本班的测试数据导出并进行整理(需按单结、双结退火测试、反压测试分开),并把测试数据保存在相应的电子档文中；四、芯片测试软件注意事项1、每一片芯片或组件在测试后，会出现一个“客户定制

8、信息”对话框，对话框中内容有测试机位、产品形态、有效数据无效数据；2、测试机位：每一台测试机有固定的编号，一车间芯片段为101，一车间组件段为102；3、产品形态：每一片芯片或组件的产品形态（良品芯片或不良芯片），若没有不良则为“good”，若有不良则选择相应的不良项目；4、有效数据无效数据：若为有效数据则会被MES系统采集；四、芯片测试软件注意事项五、芯片测试操作注意事项1、开机前检查电源线、各数据线是否连接上，是否牢固；测试机主电源急停开关是否处于开启状态；2、光