发光芯片检验规范1

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1、文件名称﹕进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版本A制定部门品管部页数1/5抽样计划[A]全检;允收水准:严重缺点(CR)为0,主要缺点(MA)不良小于5%、次要缺点(MI)不良小于10%。[B]10K以下的全检,10K以上抽取10%;允收水准:严重缺点(CR)0收1退、主要缺点(MA)不良小于0.5%、次要缺点(MI)不良小于2%。[C]每批抽3张,允收水准:主要缺点(MA)不良小于1%。[D]每批抽5张,每张取5PCS;允收水准:严重缺点(CR)为0。项次检验项目不良项目规格判定标准检验量具抽

2、样计划CRMAMI1包装时效性失效依厂商提供之保证储存期不可有超出期限之现象目视A包装脏污不整洁包装外不可有明显灰尘、脏污、包装摆放应整齐美观、包装上应注明有堆码标志目视A2外观电极表面失金电极表面镀金层不能缺失.平台、塞尺目视B正金残留以上现象不能接受。显微镜40*目视B电极变色任何可见的电极发青发紫现象显微镜40*目视B文件名称﹕进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版本A制定部门品管部页数21/5抽样计划[A]全检;允收水准:严重缺点(CR)为0,主要缺点(MA)不良小于5%、次要缺点(MI)

3、不良小于10%。[B]10K以下的全检,10K以上抽取10%;允收水准:严重缺点(CR)0收1退、主要缺点(MA)不良小于0.5%、次要缺点(MI)不良小于2%。[C]每批抽3张,允收水准:主要缺点(MA)不良小于1%。[D]每批抽5张,每张取5PCS;允收水准:严重缺点(CR)为0。项次检验项目不良项目规格判定标准检验量具抽样计划CRMAMI2外观电极变形电极最大方向的直径为最小的1.25倍且一张Wafer有0.5%此现象    目视A蚀刻不良电极蚀刻过头,外观上粗糙不平且肮脏根据样品或图片)目视A金属层剥

4、皮残留任何可见的金属层剥皮残留于电极上目视A文件名称﹕进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版本A制定部门品管部页数3/5抽样计划[A]全检;允收水准:严重缺点(CR)为0,主要缺点(MA)不良小于5%、次要缺点(MI)不良小于10%。[B]10K以下的全检,10K以上抽取10%;允收水准:严重缺点(CR)0收1退、主要缺点(MA)不良小于0.5%、次要缺点(MI)不良小于2%。[C]每批抽3张,允收水准:主要缺点(MA)不良小于1%。[D]每批抽5张,每张取5PCS;允收水准:严重缺点(CR)为0

5、。项次检验项目不良项目规格判定标准检验量具抽样计划CRMAMI3背金缺失背金层缺失面积大于整层背金面积的5%投影仪卡尺C4电极及发光面被污染电极上20%以上区域有彩色或褐色斑点及其它异物,或芯片正面20%以上区域存在污染,变色及异物附着等;且一张Wafer有0.5﹪有上图现象。   焊线机、拉力计、目视D发光面及电极擦伤.擦伤程度参照附图﹐且一张Wafer上有0.5﹪有此现象.目视显微镜D文件名称﹕进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版本A制定部门品管部页数4/5抽样计划[A]全检;允收水准:严重

6、缺点(CR)为0,主要缺点(MA)不良小于5%、次要缺点(MI)不良小于10%。[B]10K以下的全检,10K以上抽取10%;允收水准:严重缺点(CR)0收1退、主要缺点(MA)不良小于0.5%、次要缺点(MI)不良小于2%。[C]每批抽3张,允收水准:主要缺点(MA)不良小于1%。[D]每批抽5张,每张取5PCS;允收水准:严重缺点(CR)为0。项次检验项目不良项目规格判定标准检验量具抽样计划CRMAMI3芯片缺损芯片缺损超过10%的全部区域,且一张Wafer上有0.3%有此现象。投影仪卡尺C4切割不良切割

7、不良程度参照附图   焊线机、拉力计、目视D电极偏移Y≦X/2或X≦Y/2目视显微镜D文件名称﹕进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-S-01版本A制定部门品管部页数5/5抽样计划[A]全检;允收水准:严重缺点(CR)为0,主要缺点(MA)不良小于5%、次要缺点(MI)不良小于10%。[B]10K以下的全检,10K以上抽取10%;允收水准:严重缺点(CR)0收1退、主要缺点(MA)不良小于0.5%、次要缺点(MI)不良小于2%。[C]每批抽3张,允收水准:主要缺点(MA)不良小于1%。[D]每批抽5张,每张

8、取5PCS;允收水准:严重缺点(CR)为0。项次检验项目不良项目规格判定标准检验量具抽样计划CRMAMI3尺寸测量尺寸不符依承认书尺寸不可有任何超出公差。投影仪卡尺C4特性实作焊不上线PCB不可有任何焊不上线及拉力不足现象   焊线机、拉力计、目视D电性测试正常封装后,成品电性正常。目视显微镜封装设备D备注:当生产有问题时,将及时反馈厂商并列入检验项目

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