led原材料芯片检验规范

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1、led原材料芯片检验规范　　篇一：LED_Chip_FQC检验规范　　版本：R5　　拟案单位：工程部／ALLAN　　1.目的2.范围3.内容　　检验测试项目　　　　光电性检验外观检验数值标示检验。　　本公司生产之所有LED产品均属之。制订LEDCHIPFQC检验规范。　　订定成品入库批允收程序，以确保产品质量达一定水平。　　抽样计划（片数定义：芯片片数）　　　　依「产品检验抽样计划」(WI-20-0101)抽片执行检验。光电特性检验（VFH、VFL、IV）　　（1）抽样位置：分页片边缘4颗，分页片内围6颗，均匀取样。（2）抽样数量：每片10颗。　　（

2、3）每片抽样数，每一颗不良，则列一个缺点。　　外观检验　　（1）PSTYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一个缺点。　　（2）NSTYPE或PSTYPE分页面积最长距离＜cm者，不良晶粒＞　　5ea／sheet，且＞10ea／wafer列入一个缺点。　　（3）缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作，作为人员检验之依据。　　缺点等级代字　　　　主要缺点代字：MA（Major）。次要缺点代字：MI（Minor）。　　参考文件　　本公司产品目录规格书　　版本：R5　　拟案单位：工程部／ALLAN　　　　研发工程产品测试分类规格其它相关之质量文件

3、　　4.光电特性检验　　顺向电压VFH　　　　依特定之额定电流点测，须低于规格上限。　　规格上限应参考测试分类规格及GaP、GaAsP、AlGaAs产品T/S前测站　　作业指导书。　　缺点等级：MA　　顺向电压VFL　　　　依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。　　规格：GaP≧，GaAsP≧，AlGaAs(≦VFL≦)，IR　　(~V)。　　缺点等级：MI　　亮度Iv/Po　　　　依特定之额定电流点测，须高于规格下限。　　规格下限应参考测试分类规格及各产品T/S前测站作业指导书判定。缺点等级：MA　　5.外观检验﹙共同标准﹚　　版本：R5

4、　　拟案单位：工程部／ALLAN　　版本：R5　　拟案单位：工程部／ALLAN　　版本：R5　　拟案单位：工程部／ALLAN　　6.　　篇二：LED检验规范　　摘要　　系统地在分析LED发光机理的基础上，阐述了LED半导体材料的发展历程，介绍了LED光源的优点和几个主要的应用场合，分析了国内外产业的发展状况，并指出LED光源面临的几个问题。介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义，详细介绍了测试方法和测试装置的要求。　　前言　　自1879年爱迪生发明白炽灯以来，电光源照明已经经历一个多世纪，这其中有三个重要的发展阶段，其代表性光源分别是白炽灯、荧光灯和

5、HID（高强度气体放电）灯。白炽灯安装使用简便，但它是热辐射光源,绝大部分输入电功率都变成了红外辐射以及较大的热损失,落在可见光区的辐射所占比例较小,因而其光效较低，而且寿命短，易损坏。　　荧光灯的工作原理是：电流激发汞原子并使它们发出紫外线光子，这些光子激发荧光粉发出可见光。虽然其较白炽灯可以省电，但由于受到紫外线转换成可见光效率的制约,光效提高也有限，而且存在电磁污染、使用寿命短、易碎等缺点，其主要组成部分汞还会造成环境污染。HID灯光效已经可以超过100lm/W，但由于热导及紫外、红外等损失，光效也很难有较大的提高，且存在成本高、维护困难、寿命

6、短、电磁辐射等问题。近几十年来，人们对于开发新照明光源的研究和探索从未停止过。欧洲专门制定了五年行动计划，提出新型光源要符合三个条件：高效、节能；材料对环境无害；模拟自然光，显色指数接近100。　　发光二极管（LightEmittingDiode简称LED)是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件。　　随着新

7、一代半导体材料AlGaAs（砷化铝镓）、AlInGaP（磷化铝铟镓）和AlInGaN（氮化铝铟镓）的出现和发光二极管封装等技术的突破，单晶片红、绿、蓝、白光LED的功率等级不断提高，高亮度LED有望成为第四代光源。LED是电光源发展的一次全新革命和重大突破，从根本上改变了光源发光的机理，具有光效高、光色全、寿命长、环保、尺寸小等优点，能够应用在各种各样的彩色和白色照明领域。LED光源在提升照明质量和效用的同时，能够节约能源，改善环境污染，有利于国计民生的和谐发展。因此积极研究LED光源新技术，加快发展LED照明产业具有重大的经济效益和深远的社会意义。

8、　　LED材料的发展历程　　由LED发光机理可知，依材料的不同，电子和空穴所占有的能阶也不同，其相对能阶高度